王志明
,
夏义本
,
杨莹
,
方志军
,
王林军
,
居建华
,
范轶敏
,
张伟丽
无机材料学报
doi:10.3321/j.issn:1000-324X.2002.04.020
在微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)系统中,用低压成核方法,在氧化铝陶瓷基片上获得了高成核密度的金刚石薄膜.实验表明,金刚石成核密度随系统压强减小而提高.在此基础上,提出一种MPCVD系统中金刚石成核的动力学模型,并指出对应于最高成核密度有一临界压强存在.
关键词:
金刚石薄膜
,
MPCVD
,
氧化铝陶瓷
,
系统压强
,
成核
