李艺星
,
赵北君
,
朱世富
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王瑞林
,
陈松林
,
何知宇
,
罗正纯
,
任锐
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2004.03.015
采用改进的垂直无籽晶气相法生长大尺寸高质量的CdSe单晶体要求原料的纯度高.本文根据差热(DTA)和热失重(TG)测试结果,设计出连续抽空区域升华提纯CdSe原料的新方法,用该方法提纯的原料生长出大尺寸、高质量的CdSe单晶体.等离子体质谱仪(ICP-MS)分析结果表明,新方法对CdSe的提纯是有效的,纯化后的原料可以生长出大尺寸高质量的CdSe单晶体.
关键词:
硒化镉
,
提纯
,
差热分析
,
热重分析
,
等离子体质谱分析鲻
