彭红瑞
,
石玉龙
,
谢雁
,
赵程
材料保护
doi:10.3969/j.issn.1001-1560.1999.01.020
研究了用PCVD法所制备的TiN,TiAlN和TiSiN硬质涂层的抗高温氧化性能及TiN涂层在双氧水介质中的抗氧化性能.结果表明,TiAlN,TiSiN涂层在空气中的抗高温氧化温度达700 ℃以上,TiN涂层可达600 ℃.在双氧水介质中,PCVD-TiN涂层仍具有较强的抗氧化能力,且优于PVD-TiN涂层.
关键词:
涂层
,
抗氧化性能
,
等离子体化学气相沉积
,
TiN
,
TiAlN
,
TiSiN
张玮
,
满卫东
,
林晓棋
,
吕继磊
,
阳硕
,
赵彦君
人工晶体学报
利用直流辉光等离子体化学气相沉积(DC-GD CVD)设备在碳化硅(SiC)密封材料上沉积复合金刚石薄膜(ICD).实验通过两步工艺,先在SiC上沉积一层微米金刚石薄膜(MCD),然后再沉积一层纳米金刚石薄膜(NCD)形成复合金刚石薄膜(ICD).通过场发射扫面电镜和拉曼测试,研究了MCD、NCD和ICD薄膜的表面形貌和材料结构.各种金刚石薄膜利用轮廓仪、划痕测试和摩擦磨损测试其力学性能.结果显示ICD薄膜既有较强的结合力,其摩擦系数也较低.ICD薄膜涂层的SiC密封环的摩擦系数为0.08 ～0.1.
关键词:
碳化硅
,
金刚石薄膜
,
等离子体化学气相沉积
,
摩擦系数
邹云娟
,
宋雪梅
,
王波
,
陈光华
,
严辉
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.1999.04.010
在电弧法制备的过程中添加氮气或B2O3粉末,制备了氮、硼替位式掺杂C60.硼掺杂和氮掺杂C60均显示明显的半导体导电特性,且室温电导率比未掺杂C60薄膜提高1～2个量级.用共蒸发的方法制备出了硫掺杂C60薄膜,其电导率～温度曲线中存在一个过渡区,过渡区两侧表现出明显的半导体导电特性,这与掺入C60薄膜中的硫杂质的存在状态有关.其室温电导率比掺杂前提高4个量级,光致发光也明显增强.另外还报道了用离子注入和射频等离子体辅助真空沉积的方法制备掺杂C60薄膜的初步结果.
关键词:
C60
,
掺杂
,
电导率
,
电弧法
,
离子注入
,
等离子体化学气相沉积
苏葆辉
,
何子博
,
冉均国
,
苟立
,
王方瑚
稀有金属材料与工程
采用射频辉光放电等离子体化学气相沉积(RF-PCVD)法在聚碳酸酯(PC)表面沉积类金刚石(DLC)薄膜.研究了功率、气体浓度和沉积时间等条件对薄膜性能的影响,优化了工艺条件;用X射线光电子能谱测定了薄膜的组成;评价了薄膜的耐磨性能和附着性能.结果表明:PC镜片表面沉积附着性好的DLC薄膜能提高材料表面的耐磨性能.
关键词:
聚碳酸脂
,
等离子体化学气相沉积
,
类金刚石膜
,
耐磨性能
安孝玲
,
刘利国
电镀与涂饰
以等离子体化学气相沉积技术在硬质合金刀具表面制备了类金刚石(DLC)涂层.研究了DLC涂层刀具和无涂层刀具的硬度,不同载荷、不同转速下两种刀具的摩擦磨损性能,以及在水润滑和油润滑条件下DLC涂层刀具的滑动摩擦行为.结果表明,DLC涂层刀具的平均硬度为2 099.9 HV,比无涂层刀具提高了48.3%;DLC涂层刀具的摩擦因数明显低于无涂层刀具,其磨损率随着载荷的增加而增大,随转速的增大而减小;油润滑比水润滑能更有效减缓摩擦作用.
关键词:
硬质合金刀具
,
类金刚石膜
,
等离子体化学气相沉积
,
摩擦学
李世直
,
徐翔
金属学报
采用直流等离子体化学气相沉积技术,在高速钢、Si(100)和Si(111)基体上沉积TiN膜,并对膜的晶体结构、表面形貌、断口结构、显微硬度、氯含量等进行了测定和分析,部分样品进行了二次离子质谱(SIMS)、Auger谱(AES)和X光光电子谱(ESCA)等分析.试验表明:在不同基材上沉积的TiN膜,只要沉积参数相同,膜的结构和性能都相同.在沉积温度500℃左右,TiN膜的生长方式有一转变,即可能是由层生长转变为岛状生长.直流PCVD法生成的TiN膜,其N:Ti≈1:1,有强的(200)织构,膜与基体间有较宽的共混区,因而结合强度高和耐磨性好,适于用作耐磨镀层.
关键词:
等离子体化学气相沉积
,
TiN film
白亦真
,
金曾孙
,
姜志刚
,
韩雪梅
材料研究学报
doi:10.3321/j.issn:1005-3093.2003.05.014
研究了在热阴极辉光放电等离子体化学气相沉积金刚石膜过程中,热阴极辉光放电特性与金刚石膜沉积工艺的关系.结果表明,适当的阴极温度是保证大电流、高气压辉光放电的必要条件.阴极的温度影响辉光放电阴极位降区的放电性质.金刚石膜的沉积速率随着气体压力(16～20 kPa)的升高而上升,在18.6 kPa左右出现最高值,而阳极位降区电场强度的降低使膜品质下降.放电电流(8～12 A)对沉积速率的影响与气体压力的影响具有相似的规律.
关键词:
无机非金属材料
,
热阴极
,
等离子体化学气相沉积
,
辉光放电
,
金刚石膜
王守坤
,
郭总杰
,
袁剑峰
,
林承武
,
邵喜斌
液晶与显示
doi:10.3788/YJYXS20142903.0355
对FFS-TFT制作工艺中,与氮化硅膜层接触的透明电极ITO发生的雾状不良进行分析研究.通过扫描电子显微镜、宏观/微观显微镜和背光源测试设备对样品进行分析.结果显示接触层的等离子体界面处理对ITO的透过率和膜质特性有较大影响,可导致严重的雾状不良发生和刻蚀工艺中的膜层下端过度刻蚀的问题.通过在透明电极ITO上面沉积微薄的过渡缓冲膜层,并优化界面等离子体处理条件,可以改善雾状不良.
关键词:
铟锡氧化物
,
薄雾不良
,
边缘场开关薄膜晶体管
,
等离子体化学气相沉积
,
氮化硅膜
,
透过率
周晶晶
,
肖少庆
,
姚尧
,
顾晓峰
人工晶体学报
本文利用容性放电模式(E-mode)的电感耦合等离子体(ICP)化学气相沉积技术,在低温(100℃)下采用硅烷(SiH4)、氮气(N2)和氢气(H2)作为先驱反应气体制备氢化氮化硅薄膜(SiNx∶H),并通过傅里叶红外光谱(FTIR)、扫描电子显微镜(SEM)和X射线光电子能谱仪(XPS)对薄膜的键结构、键密度、氢含量以及化学组成进行表征.采用少子寿命测试仪(Sinton WCT-120)研究薄膜在n型晶硅表面的钝化效果.结果表明,氮硅原子比为0.4的SiN0.4∶H薄膜具有最高的氢含量,高达29％,而且其钝化效果最好.最高少子寿命达到251μs,表面复合速率降低至85 cm/s,Suns-Voc测到的提示开路电压达到652 mV.
关键词:
SiNx
,
等离子体化学气相沉积
,
表面钝化
,
容性放电
陈盛
,
史伟民
,
金晶
,
秦娟
,
王漪
,
夏义本
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2010.06.009
采用PECVD工艺在普通玻璃衬底上制备非晶硅薄膜,用波长为532nm的倍频Nd:YAG激光对非晶硅薄膜的表层进行了晶化.研究了激光能量密度对非晶硅薄膜表面结晶度以及晶粒大小的影响,并对晶化后的非晶硅表面形貌进行了表征.研究结果表明:该非晶硅薄膜晶化的阈值能量密度为800 mJ/cm2,当激光能量密度大于该值时,晶化效果反而变差.同时经过拉曼光谱表征,经由高斯拟合和数值计算得出薄膜结晶度在45%～60%之间,平均晶粒尺寸在30～50nm.
关键词:
等离子体化学气相沉积
,
激光晶化
,
纳米硅
