张凤
,
方新心
,
成霁
,
唐逢杰
,
金庆辉
,
赵建龙
功能材料
doi:10.3969/j.issn.1001-9731.2013.增刊(Ⅱ).037
石墨烯由于其独特的电学特性受到关注,工艺的研究促使石墨烯材料的实际应用。着重于石墨烯场效应管关键工艺(目标衬底的预处理、石墨烯的转移、金属沉积、石墨烯刻蚀与退火)的优化。通过实验发现,衬底上硅醇基的密度以及碳氢化合物分子的大小对器件的性能有很大的影响；与热蒸发方式相比,溅射会对石墨烯引入更多的缺陷,降低器件性能；金属上石墨烯的接触电阻率为1.1×104Ω·μm,而金属下石墨烯的电阻率为2.4×105Ω·μm；应用射频和微波等离子体系统对石墨烯进行刻蚀,微波等离子体会造成石墨烯上的光刻胶碳化,使得光刻胶很难用丙酮去除；器件制备完成后,样品需要在(H2/Ar)还原性气氛中退火,以除去吸附在石墨烯表面的杂质,提高器件的性能。
关键词:
石墨烯
,
溅射
,
热蒸发
,
石墨烯转移
,
等离子体刻蚀
董雷
,
张瑞康
,
江山
,
赵圣之
,
刘水华
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2010.03.009
本文详细研究了采用Cl2/H2刻蚀气体时,ICP刻蚀系统对InP/InGaAsP材料表面损伤的影响.通过设计特殊结构的InP/InGaAsP多量子阱结构,测量刻蚀区域及非刻蚀区域的光荧光强度的变化,并结合高斯深度分布模型对刻蚀损伤进行定量研究.详细研究ICP刻蚀系统中的压强、ICP功率、RF功率以及Cl1/H2刻蚀气体组分对损伤程度的影响.基于这些结果优化得到一组低损伤参数,最终实现刻蚀损伤深度小于16nm.
关键词:
等离子体刻蚀
,
干法刻蚀损伤
,
感应耦合等离子体
,
光荧光
姜志刚
,
冯玉玲
,
纪红
,
郑涛
,
杨传经
,
李博
,
金曾孙
材料研究学报
doi:10.3321/j.issn:1005-3093.2006.03.007
用直流辉光等离子体化学气相沉积制备金刚石厚膜,用氢的微波等离子体对其抛光截面进行刻蚀,研究了晶界对金刚石厚膜耐磨性的影响.结果表明:在金刚石膜的生长过程中,随着甲烷流量的增加,金刚石膜的晶界从纵向排列为主过渡到网状结构,晶粒内部缺陷逐渐增加,杂质、空洞主要分布于晶界处.金刚石膜的磨耗比随着晶界密度、宽度、杂质含量及晶粒内部缺陷的增加而下降.晶界是杂质、空洞主要富集区,是影响金刚石厚膜耐磨性的主要因素.
关键词:
无机非金属材料
,
金刚石厚膜
,
等离子体刻蚀
,
晶界
,
耐磨性
张立祥
,
王海涛
,
王尤海
,
夏庆峰
液晶与显示
doi:10.3788/YJYXS20163112.1112
本文对在等离子体刻蚀工艺中,功率、压强、气体比例重要参数对 a-Si 刻蚀均一性的影响进行了研究。采用PECVD 成膜、RIE 等离子体刻蚀,并通过台阶仪和光谱膜厚测定仪对膜厚进行表征。结果表明压强在10~15 Pa,功率在5500~6500 W 的参数区间,a-Si 刻蚀均一性波动不大,适合工业化生产。a-Si 刻蚀速率及刻蚀均一性对气体比例较为敏感,SF6∶HCl＝800∶2800 mL/min 时 a-Si 刻蚀均一性为最佳。四角排气方式对维持等离子体浓度作用明显,有利于刻蚀均一性的提升。四周排气方式会破坏等离子体浓度进而破坏 a-Si 刻蚀的均一性。
关键词:
等离子体刻蚀
,
a-Si
,
均一性
,
排气方式
