王雪涛
,
关庆丰
,
顾倩倩
,
彭冬晋
,
李艳
,
陈波
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2010.01313
为了研究超快变形诱发的非金属材料的微观结构状态,利用强流脉冲电子束(HCPEB)技术对单晶硅进行了辐照处理,并用透射电镜对电子束诱发的表层微观结构进行了分析.实验结果表明,HCPEB辐照后单晶Si表层形成了丰富的缺陷结构,互相平行的螺何错和外禀层错是辐照后最为典型的缺陷结构;同时HCPEB辐照还诱发了密度很高的包括位错圈和SFT在内空位簇缺陷,幅值极大和应变速率极高的表面应力导致的{111}面整体位移可能是大量空位簇缺陷形成的根本原因.此外,HCPEB处理可在单晶Si表面形成纳米和非品混合结构.
关键词:
强流脉冲电子束
,
单晶硅
,
结构缺陷
,
空位簇
