张志霞
,
林刚
,
徐洲
材料热处理学报
对含铜铁素体抗菌不锈钢中的抗菌相及其析出行为进行了试验研究.结果得出:抗菌相的实际成分接近纯铜,其临界析出温度达到900℃,最佳时效温度为750～800℃.高分辨电镜和电子衍射揭示该抗菌相具有包含(111)[11-2]孪晶和层错的多层结构,其生长方式是层片结构沿[11-2]Cu方向的拓张.抗菌相的生长行为主要受空位浓度影响.
关键词:
铁素体抗菌不锈钢
,
抗菌相
,
析出
,
空位浓度
王建伟
,
尚新春
,
吕国才
材料工程
doi:10.3969/j.issn.1001-4381.2011.10.004
中子辐照引起的位移级联能在金属中产生各种缺陷.通过三维分子动力学方法模拟了bcc-Fe在不同空位浓度下中子辐照的位移级联过程.模拟结果表明,在空位浓度0％和初始碰撞原子能量5keV的情形下,位移级联过程会出现大量空位、间隙原子团等缺陷.经过0.5ps后点缺陷数量NF达到最大值1632,之后其逐渐减少,10ps后稳定在60.预置空位的存在加速了级联过程中点缺陷的湮灭.进一步的模拟指出,预置空位浓度越高,则点缺陷复合也就越快.这些结果有助于描述核反应堆结构钢的某些微观失效机理.
关键词:
中子辐照
,
分子动力学
,
空位浓度
,
位移级联
,
间隙原子团
黄海宾
,
张东华
,
汪已琳
,
龚洪勇
,
高江
,
Wolfgang R.Fahrner
,
周浪
功能材料
doi:10.3969/j.issn.1001-9731.2014.09.022
氢化非晶氧化硅(α-SiOx∶H)是一种优质的硅片表面钝化材料.采用PECVD法,以 SiH4、CO2和 H 2作为气源制备α-Si O x∶H 薄膜钝化 Cz-Si 表面,研究了沉积气压和CO2∶SiH4流量比对钝化效果的影响规律及作用机制.采用准稳态光电导法测试了硅片的有效少子寿命并依此计算出其表面复合速率以对薄膜的钝化效果进行定量表征,采用光谱型椭偏仪测试了样品的介电常数虚部ε2谱对样品微观结构进行了定性分析.结果表明,(1)在所研究范围内,氧掺入非晶硅薄膜使得薄膜结构趋向非晶化,沉积气压主要对薄膜中的空位浓度造成影响,而 CO2/SiH4流量比的增加可增加薄膜中的 H 含量并改变了硅氢键的结构,从而影响薄膜的钝化效果；(2)在 CO2/SiH4流量比为3．0/3．0 mL/min,沉积气压为22 Pa 条件下获得了最优钝化效果,钝化后硅片有效少子寿命为975μs,表面复合速率为3．9 cm/s.
关键词:
氢化非晶氧化硅
,
PECVD
,
硅片表面钝化
,
空位浓度
,
氢含量
刘东方
,
马向东
,
张志浩
,
黄亮亮
,
王晓陆
硅酸盐通报
以分析纯氧化镁、氧化铝、氧化钛为原料,按氧化镁与氧化铝质量比28.33∶71.67配料,在合成体系中分别引入质量分数为0、0.5％、1％、2％、4％、6％、8％和10％的氧化钛,在钼丝炉中1600℃保温2h,烧结法合成镁铝尖晶石.用X射线衍射、扫描电子显微镜和能谱对烧后试样进行分析.结果表明:引入适量的TiO2可显著提高镁铝尖晶石的烧结性能;当TiO2含量低于4％时,随着TiO2的含量增加,试样的线变化率减小,显气孔率下降,体积密度增大,常温耐压强度增大.TiO2的引入提高了镁铝尖晶石晶体空位浓度,活化了晶格,促进镁铝尖晶石的烧结.当TiO2含量高于4％时,试样的线变化率、显气孔率和体积密度没有显著变化,常温耐压强度有所下降;尖晶石晶粒尺寸没有明显变化,且生成了一定量的Mg0.6Al0.8Ti1.6O5,阻碍了镁铝尖晶石之间的接触,影响镁铝尖晶石烧结性能的提高.
关键词:
氧化钛
,
镁铝尖晶石
,
空位浓度
,
烧结性能
陈树川
,
徐祖耀
,
杨凡
,
张骥华
金属学报
采用X射线衍射和内耗测量研究了Cu-Zn-Al合金不同热处理条件对马氏体相变和母相有序态的影响。研究表明,“淬火-时效”试样从室温加热到320℃马氏体完全消失为止始终未发生逆相变。分级淬火短期等温试样出现B2?9R和DO_3?18R两种马氏体相变共存。随着等温时间的增长,B2?9R相变消失,与此同时DO_3?18R相变增强。然而,淬火后立即上淬到100—150℃等温的试样只出现B2?9R相变,即使等温时间增长也能继续保持。显然,从高温快冷不能抑制A2?B2有序,却可以抑制B2?DO_3有序。虽然分级和上淬处理时母相所处的湿度相同,但其有序态却各异,足够的空位浓度是发生B2?DO_3有序转变的必要条件。文中讨论了Cu-Zn-Al合金马氏体稳定化的可能机制。
关键词:
马氏体稳定化
,
A2→B2 ordering
,
vacancy concentration
