王静
,
杨志刚
,
谢鹤
,
金哲晖
,
胡楠
表面技术
doi:10.3969/j.issn.1001-3660.2006.03.007
采用乙醛酸代替有害的化学药品甲醛作为还原剂的化学镀技术, 在TiN 阻挡层实现了化学镀铜.研究了不用贵重金属钯催化,而是采用NH4F酸性化学镀方法在TiN/Ti/SiO2/Si基板上沉积一层铜种子层,然后在此铜种子层上采用乙醛酸化学镀方法沉积铜膜的方法.用SEM观察镀层形貌,XRD表征镀层结晶状态,证实此方法能够制备出超大规模集成电路铜互连线.试验分析并探讨了pH值、铜离子浓度、乙醛酸浓度、EDTA浓度、联吡啶浓度、镀液温度对化学镀速度和镀铜层效果的影响,得到了制备超大规模集成电路铜互连线的最优化学镀溶液成分.
关键词:
乙醛酸
,
化学镀铜
,
种子层
,
铜互连线
,
化学镀镀液
郑洋
,
刘晰
,
曲炳郡
,
韦丹
,
魏福林
,
任天令
,
刘理天
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2010.03.016
磁控溅射是一种能够在低温条件下生长大面积优质薄膜的工艺,广泛用在磁传感器和存储等领域.本文研究了在巨磁电阻(Giant Magneto Resistance:GMR)多层膜周围溅射接触紧密的CoCrPt硬磁膜的工艺,使得硬磁膜能为GMR提供磁场偏置,以解决小尺度GMR的噪声问题.研究中采用了1:5的BHF溶液的湿法刻蚀工艺,刻蚀速率为25 A/s,实现了刻蚀深度的精确控制,解决了薄膜对准的问题.同时改进了CoCrPt薄膜溅射的种子层,使得CoCrPt能在常温下溅射得到很好的晶体结构.这种工艺为基于GMR的小尺寸器件设计提供了可能性.
关键词:
巨磁电阻
,
磁控溅射
,
湿法刻蚀
,
粗糙度
,
种子层
张利静
,
方华靖
,
严清峰
,
沈光球
,
王晓青
,
沈德忠
人工晶体学报
本文以ZnO为种子层采用溶胶-凝胶法制备了Li、Mg掺杂的氧化锌薄膜.利用XRD、SEM、PL等手段对薄膜的结构、表面形貌和发光性能进行了表征,研究了不同掺杂情况、种子层、旋涂次数对Li、Mg掺杂的ZnO薄膜性能的影响.结果表明预铺种子层、旋涂8次、在580℃下退火的条件下制得的薄膜性能最好,通过Li、Mg共掺杂使得ZnO薄膜的光致发光性能增强近5倍,近带边发射峰发生蓝移,禁带宽度变大.
关键词:
氧化锌薄膜
,
溶胶-凝胶法
,
种子层
,
旋涂
,
光致发光
王榕
,
索红莉
,
程艳玲
,
刘敏
,
赵跃
,
叶帅
,
高忙忙
,
周美玲
人工晶体学报
为制备高质量的双轴织构La2Zr2O7(LZO)涂层导体过渡层,本文采用化学溶液法(Chemical solution deposition,简称CSD法),以乙酰丙酮镧和乙酰丙酮锆为溶质,丙酸为溶剂配制成前驱盐溶液,在立方织构的Ni-5 at%W基底上用快速一步法退火工艺制备了LZO种子层及双层LZO厚膜.SEM观察种子层呈岛状均匀排列,符合种子层形貌特点.XRD结果显示0.06 mol/L浓度种子层上制备的LZO厚膜具有很强的双轴立方织构,其中(222)面Phi扫描和(400)面摇摆曲线半高宽值分别为6.37°和5.82°.SEM观察发现120 nm厚的LZO薄膜表面平整,无裂纹,为后续沉积YBCO提供了很好的模板.
关键词:
涂层导体
,
CSD方法
,
LZO过渡层
,
种子层
李建伟
,
赵崇军
,
滕蛟
,
于广华
功能材料
doi:10.3969/j.issn.1001-9731.2013.13.007
NiFeCr种子层可以明显降低NiFe薄膜的低频噪声,提高信噪比.制备态下NiFeCr为种子层的NiFe薄膜的低频噪声比以Ta打底的NiFe薄膜的低频噪声下降10倍,250℃下保温2h退火后以Ta打底的NiFe薄膜的低频噪声因扩散而明显上升,而NiFeCr为种子层的NiFe薄膜的低频噪声则有小幅下降.电镜分析表明NiFeCr种子层与NiFe层形成良好的晶格匹配关系,可以基本实现NiFe完全外延式的生长.
关键词:
低频噪声
,
NiFeCr
,
种子层
,
退火
,
信噪比
孙宝
,
郝彦忠
,
郭奋
,
李英品
,
曹寅虎
功能材料
以聚乙二醇（PEG-400）为添加剂,采用恒电位方法直接在ITO导电玻璃上制备了ZnO纳米棒阵列膜,用扫描电子显微镜（SEM）、X射线衍射仪（XRD）等分析手段对ZnO纳米棒阵列的形貌和结构进行了表征。结果表明所得ZnO纳米棒为六方纤锌矿型单晶结构,沿着垂直于基底的c轴极性生长,呈现出均匀的六方棒状形貌;在电沉积初期,PEG-400通过其大分子链的空间位阻作用及包覆作用对ZnO成核粒子的形貌和分散性产生显著影响,进而可以有效调整进一步生长所得ZnO纳米棒阵列的密度和垂直度,当PEG-400在电沉积液中的体积分数为2%时,可以得到取向良好垂直度高的纳米棒阵列;光电性能测试表明,ZnO纳米棒阵列膜电极的光电流随着阵列规整度提高而增大。
关键词:
ZnO纳米棒阵列
,
PEG-400
,
种子层
,
电化学沉积
,
光电性能
方华靖
,
严清峰
,
王晓青
,
沈德忠
人工晶体学报
通过水热生长的预处理步骤在普通玻璃载玻片表面铺设种子层,然后采用旋涂法在处理好的衬底上涂覆前驱体溶胶,成功地制备出沿(002)晶面择优取向生长的Al掺杂的ZnO薄膜(AZO)薄膜.利用X射线衍射分析、扫描电镜表征薄膜形貌,并测定薄膜的透射率及电阻率.研究了种子层对AZO薄膜结晶性能、表面形貌及光电性能的影响.结果表明:种子层减少了薄膜生长初期的非晶成份,促进了薄膜的晶化.薄膜在可见光范围内平均透射率超过85％,导电性能也有所改善.
关键词:
AZO薄膜
,
种子层
,
溶胶凝胶
,
光电性能
彭寿
,
汤永康
,
王芸
,
金良茂
,
甘治平
,
王东
,
王萍萍
,
操芳芳
硅酸盐通报
本文采用溶胶-凝胶法以提拉的方式在普通玻璃基底上制备出n型掺杂具有优良光电性能的氧化锌掺铝(AZO)薄膜,并以磁控溅射AZO薄膜为种子层引导液相法所制备AZO薄膜生长.Al掺杂浓度区间为0.25at％～5.00at％.通过X射线衍射仪、场发射扫描电子显微镜、轮廓仪、方块电阻测试仪、霍尔效应测试仪、紫外-可见-红外分光光度计分别研究了薄膜物相、微观结构、膜厚及光电性能,进一步分析了Al掺杂浓度、种子层对薄膜光电性能的影响.结果表明:经10次提拉所制备薄膜可见光透过率85％以上.Al掺杂浓度、种子层的引入对AZO薄膜的光电性能有重要影响.无种子层时,掺杂浓度为0.50at％的AZO薄膜在5％ H2、95％N2还原气氛下于550℃保温60 min得到最优电学性能,方块电阻约为166 Ω/□,电阻率约为1.99×10-3 Ω·cm;预镀AZO种子层所制备薄膜方块电阻下降到约42Ω/□,电阻率下降到约7.56×10-4Ω·cm.
关键词:
Al掺杂浓度
,
种子层
,
铝掺杂氧化锌薄膜
,
光电性能
