王进
,
杨萍
,
陈俊英
,
冷永祥
,
万国江
,
孙鸿
,
赵安莎
,
黄楠
功能材料
应用等离子体浸没离子注入与沉积方法合成了磷掺杂的类金刚石(diamond like carbon,DLC)薄膜.结构分析表明磷以微米级岛状结构分散于DLC薄膜表层,P的掺杂增加了DLC薄膜的无序性,俄歇能谱表明岛型区域是由P、C、O三种元素形成的化合物.掺杂表面表现出强烈的亲水性(水接触角为16.9°),体外血小板粘附实验结果显示,P掺杂DLC薄膜表面粘附的血小板少且变形小,表现出的血液相容性优于热解碳和未改性DLC.
关键词:
类金刚石
,
磷掺杂
,
等离子体浸没离子注入与沉积
,
血液相容性
祁英昆
,
张溪文
,
徐世友
,
韩高荣
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2003.03.004
采用热丝和射频等离子体辅助化学气相沉积方法(HF-PECVD),以单晶硅为衬底在低温(< 500℃)条件下沉积氮化硼(BN)薄膜材料.通过傅立叶变换红外光谱(FTIR)、 X射线衍射(XRD)及扫描电镜(SEM)对薄膜样品的组成和结构进行了分析,探讨了温度和等离子体对沉积BN薄膜的影响.此外,用紫外-可见光分光光度计(UV)测试了石英衬底上生长磷掺杂氮化硼(BPXN1-X)薄膜样品的紫外吸收特征,分析了磷掺杂对 BN光学能隙的调节作用以及 BPXN1-X薄膜在紫外空间探测领域的应用前景.结果表明,以单晶硅和光学石英玻璃为衬底在低温条件下用 HF-PECVD方法可以沉积较高质量的 BN薄膜,BN的光学能隙宽度通过磷的掺杂可以得到连续调节,在紫外空间光探测领域具有很大的应用潜力.
关键词:
BN薄膜
,
HF-PECVD
,
低温制备
,
磷掺杂
,
紫外光探测
王菁晶
,
贺蕴秋
,
郑江
材料导报
采用溶胶-凝胶法在钠钙硅玻璃上制备了纯的和掺磷的TiO2薄膜,分别用AFM、XRD分析了薄膜的表面形貌和晶相组成.磷的掺入降低了TiO2锐钛矿相的结晶度,并且可以与从钠钙硅玻璃基片中扩散至薄膜的钠离子形成磷和钠的化合物,从而降低热处理过程中钠离子扩散对TiO2薄膜光催化活性产生的不利影响.利用罗丹明B作为光催化降解物质来表征TiO2薄膜的光催化活性,在相同的实验条件下,纯的TiO2薄膜的降解率为24.3%,掺磷5%的TiO2薄膜的降解率为50.3%.
关键词:
二氧化钛
,
磷掺杂
,
钠扩散
,
罗丹明B
朱慧群
,
李毅
,
丁瑞钦
,
王忆
,
黄洁芳
,
张锐华
人工晶体学报
采用射频磁控溅射法,在不同的Ar∶O2条件下,以高掺磷n型Si衬底为磷掺杂源制备了p型ZnO薄膜和p-ZnO/n-Si异质结.对ZnO∶P薄膜进行了光致发光谱(PL)、霍尔参数、Ⅰ-Ⅴ特性、扫描电镜(SEM)和X射线衍射谱(XRD)等测试.结果表明,获得的ZnO∶P薄膜沿(0002)晶面高取向生长,以3.33 eV近带边紫外发光为主,伴有2.69 eV附近的深能级绿色发光峰,空穴浓度为8.982 × 1017/cm3,空穴迁移率为9.595 cm2/V·s,p-ZnO/n-Si异质结I-V整流特性明显,表明ZnO∶P薄膜具有p型导电特性.
关键词:
磁控溅射
,
p型ZnO薄膜
,
磷掺杂
,
异质结
戴友志
,
刘进兵
,
刘鸿
,
王毅
,
宋树芹
催化学报
doi:10.3724/SP.J.1088.2011.10307
采用化学镀技术制备了P掺杂的Pd3Fe1/C,并考察了其对氧还原的电催化性能.结果表明,制得催化剂的Pd分散性高、粒径分布均匀;P的掺杂降低了Pd3Fe1/C催化剂的Pd-Fe颗粒粒径,提高了Pd3Fe1/C上氧还原的活性,且一定程度上改善了Pd3Fe1/C催化剂的稳定性.当Fe/P摩尔比为1/10时,催化剂的性能最佳.
关键词:
氧还原反应
,
钯
,
铁
,
炭载催化剂
,
磷掺杂
,
电催化活性
徐世友
,
祁英昆
,
张溪文
,
韩高荣
材料科学与工程学报
doi:10.3969/j.issn.1673-2812.2003.03.005
本文从应用出发,选择光学石英为衬底,采用热丝辅助射频化学气相沉积的方法沉积BPxN1-x薄膜,对样品进行了X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、紫外-可见等测试.XRD、SEM结果显示薄膜多晶态,表面形貌随时间变化,最终为胞状;紫外-可见光光谱结果显示BPxN1-x薄膜的紫外吸收边随沉积时间的加长、PH3流量的增加而向长波长方向移动.因此,该材料的光学能隙可以通过生长工艺适当调整.另外,BPxN1-x薄膜与液晶层能较好匹配等特性更使其适用于紫外空间光调制器.
关键词:
BPxN1-x薄膜
,
光学能隙
,
磷掺杂
,
紫外液晶光阀
张学宇
,
吴爱民
,
冯煜东
,
胡娟
,
岳红云
,
闻立时
人工晶体学报
用电子回旋共振等离子体增强化学气相沉积(ECR-PECVD)的方法制备了磷掺杂微晶硅薄膜材料.通过Hall,Raman光谱和XRD的测试分析,研究了衬底温度和磷烷流量对掺杂薄膜组织结构和电学性能的影响.根据AFM照片分析了薄膜的表面形貌,进而推测了薄膜的内部组成.实验发现:衬底温度在250 ℃时,磷烷的加入会大大降低薄膜的晶化率.衬底温度提高到350 ℃后这种影响明显下降.薄膜的载流子浓度和电导率受薄膜晶化率影响明显,衬底温度的升高对薄膜电学性能提高有较大帮助.
关键词:
ECR-PECVD
,
磷掺杂
,
微晶硅薄膜
,
霍尔测量
迟建华
,
骆旭梁
,
王思源
,
付传起
,
王宙
材料保护
为进一步提高多晶硅薄膜的晶化率,采用真空蒸镀法结合金属铝诱导退火处理在玻璃衬底上制备了掺杂磷的多晶硅薄膜.采用扫描电镜、激光拉曼光谱仪等研究了基板温度对磷掺杂多晶硅薄膜的组织、形貌、晶粒尺寸及晶化率的影响.结果表明:随基板温度升高,薄膜的晶粒大小和晶化率呈先增大后减小的趋势,基板温度为150℃时,晶粒尺寸显著增大,达0.45 μm左右,且具有较高的结晶度,薄膜晶化率可高达94.95％.
关键词:
多晶硅薄膜
,
基板温度
,
磷掺杂
,
真空蒸镀
,
晶化率
骆旭梁
,
王思源
,
王宙
,
雍帆
,
付传起
材料导报
doi:10.11896/j.issn.1005-023X.2016.02.013
采用真空蒸镀的方法制备磷掺杂多晶硅薄膜,研究了磷含量对多晶硅薄膜的表面形貌、组织结构、晶粒尺寸及晶化率的影响.结果表明:随着磷掺杂分数的增加,多晶硅薄膜的晶粒尺寸和晶化率表现出先增加后降低的趋势,当磷掺杂分数为1％时,薄膜晶粒尺寸达到最大值,为0.55 μm,晶化率为96.82％,且晶粒的均匀性最佳.
关键词:
真空蒸镀
,
多晶硅薄膜
,
磷掺杂
,
晶化率
倪晶
,
梁英
,
蔡光义
,
董泽华
功能材料
doi:10.3969/j.issn.1001-9731.2016.增刊(Ⅱ).029
利用三嵌段共聚物P123作为软模板,植酸为P源,葡萄糖为碳源,经简单的水热法和 KOH 高温刻蚀,制备磷掺杂的三维多孔活性碳材料.SEM和TEM表明,经水热和碳化两个步骤处理后,得到的活性碳材料外表层为开放的大孔,内部则分布为大量介孔和微孔,形成孔嵌套的多层密集孔隙结构.红外光谱和X射线光电子谱(XPS)分析表明,经过高温刻蚀后P元素成功地保留在碳材料基体中,掺杂 P 后的碳材料电极在1 mol/L KOH电解液中的比电容为235 F/g,远高于AC未掺杂时的182 F/g,经4000次充放电循环后,该 P 掺杂碳电极仍保留初始容量的91％,这表明P掺杂可以提高多孔碳材料的储能密度和循环稳定性.
关键词:
多孔碳
,
磷掺杂
,
刻蚀
,
超级电容器
