唐宁
,
沈波
,
陈敦军
,
桂永胜
,
仇志军
,
郑有炓
稀有金属
doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2004.03.008
通过在低温和强磁场下的磁输运测量研究了非故意掺杂Al0.22Ga0.78N/GaN异质结二维电子气(2DEG)的磁电阻振荡现象.观察到了磁致子带间散射(MIS)效应.在极低温下观察到了表征两个子带被2DEG占据的双周期舒勃尼科夫-德哈斯(SdH)振荡.实验观察到MIS效应引起的磁电阻振荡的幅度随温度上升略有减小,振荡的频率为两个子带SdH振荡频率之差.随着温度的升高,MIS振荡成为主要的振荡.由于SdH振荡和MIS振荡对温度的依赖关系不同,实验观察到SdH和MIS振荡之间的调制在温度10和17 K之间最为强烈,其它温度下的调制很弱.
关键词:
AlxGa1-xN/GaN异质结构
,
二维电子气
,
磁致子带间散射
