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衬底和退火时间对Al掺杂ZnO薄膜微结构和光学特性的影响

孟军霞 , 马全新 , 王超

材料导报

采用射频磁控溅射方法在玻璃和硅衬底上制备出Al掺杂ZnO(AZO)薄膜.利用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和光致荧光发光(PL)等系统研究了不同Al掺杂量对ZnO薄膜的结晶性能、表面形貌和光学特性等的影响.结果显示,硅衬底和玻璃衬底均出现了(100)和(002)衍射峰,玻璃的(002)衍射峰强于硅.同时随着退火时间的延长,(002)峰强度基本不变,(100)峰的强度逐渐增强,薄膜呈(100)取向生长,表明退火时间可能会引起晶体生长过程中择优取向的改变.退火1.5h样品可以得到最佳的(002)取向.随着退火时间的延长,样品的PL谱中各发光峰强度先增强后减弱随后又增强,且蓝光双峰强度大于绿光峰强度;位于443nm的蓝光发光峰发生了蓝移.

关键词: 磁控溅射法 , AZO薄膜 , 结构特性 , 光学特性

NPC太阳电池的TiO2薄膜结构的研究

罗欣莲 , 蓝鼎 , 万发荣 , 龙毅 , 周海鹰 , 叶亚平

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2003.04.004

采用溶胶凝胶法、粉末涂敷法和磁控溅射法在导电玻璃上制得纳米TiO2薄膜.电子衍射和X射线衍射实验表明该薄膜主要是锐钛矿相结构,透射电子显微镜实验证明了薄膜晶粒为纳米尺度,扫描电子显微镜实验观察了薄膜的表面形貌.分析并讨论了利用以上各种方法制得的纳米TiO2薄膜的结构及其所组成的染料敏化太阳电池的性能.发现由致密TiO2层和多孔TiO2层组成的多层TiO2薄膜组装的太阳电池的性能优于任一种单层TiO2薄膜.

关键词: 纳米 TiO2薄膜 , 溶胶凝胶法 , 粉末涂敷法 , 磁控溅射法 , 太阳电池

磁控溅射法制备PZT基SMA/PZT异质复合材料

刘庆锁 , 吴小萍

稀有金属材料与工程

采用直流磁控溅射法在PZT基体上溅射沉积NiTiSMA薄膜,而制备出PZT基NiTii SMA/PZT异质复合材料.研究了溅射工艺参数与晶化温度对NiTi SMA薄膜相组成及SMA/PZT异质复合材料膜/基间结合状态的影响规律.结果表明,为保障NiTi SMA薄膜的晶体颗粒均匀、结构致密,膜/基间成分交换范围小及结合紧密,制各NiTi SMA/PZT异质复合材料的适宜工艺为:于基体温度150℃、氩气压强0.7 Pa条件下溅射沉积NiTi SMA薄膜,再经600℃二次晶化处理.显微观察发现,NiTi SMA薄膜与PZT基体之间以化学方式,而非物理方式结合.

关键词: 磁控溅射法 , 晶化处理 , 显微结构 , NiTi SMA/PZT异质复合材料

FC/ZnO杂化材料的制备及结构与性能

张浴晖 , 齐宏进

高分子材料科学与工程

采用射频磁控溅射法,分别以聚四氟乙烯(PIFE)和辞为靶,在聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)基底上沉积氟碳(FC)膜以及FC/ZnO的有机.无机纳米杂化材料.用SEM、UV、XPS对氟碳膜和杂化材料进行了表征.结果表明,氟碳膜形成了一种由纳米粒子-纳米孔洞组成的双纳米结构,随着ZnO沉积时间的不同,FC/ZnO杂化膜呈现出不同的表面形貌,杂化膜的生长模式是一种依附于有机核的沉积-扩张生长模式;杂化材料的F/C较低,随着氧化锌沉积时间的增加,F/C出现逐渐增大的趋势;杂化膜是一种多重抗紫外线辐射的功能膜.

关键词: 磁控溅射法 , 杂化材料 , 氟碳 , 氧化锌

AlSb多晶薄膜的制备及性质

贺剑雄 , 武莉莉 , 夏庚培 , 郑家贵 , 冯良桓 , 雷智 , 李卫 , 张静全 , 黎兵

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2010.01.003

用磁控溅射法制备了Al/Sb多层薄膜,通过X射线衍射(XRD)、X射线荧光(XRF)、Hall效应、暗电导率温度关系及透过谱的测试研究了退火前后薄膜的结构和性质.XRD测试结果表明,刚沉积的薄膜只有Sb的结晶相,而Al则以非晶态形式存在,500℃退火后化合为AlSb多晶,且沿(111)择优取向.Hall效应测试、电导激活能及光能隙的计算结果表明,所制备的AlSb多晶薄膜为P型材料,且载流子浓度为10~(19) cm~(-3),光能隙为1.64eV,电导率随温度的变化可分为两个过程,在30℃到110℃,薄膜的电导率随温度的增加而缓慢增加,而在110℃到260℃间增加明显,升温电导激活能为0. 11eV和0.01eV,这与AlSb多晶薄膜在升温过程中的结构变化有关.将制备的AlSb多晶薄膜应用于TCO/CdS/AlSb/ZnTe:Cu/Au结构的太阳电池器件中,已观察到明显的光伏效应,说明用这种方法制备的AlSb多晶薄膜适于作太阳电池的吸收层.

关键词: AlSb , 薄膜 , 磁控溅射法 , 退火

退火工艺对含Ti-Al阻挡层的硅基Pb(Zr_(0.4),Ti_(0.6))O_3铁电电容器结构和性能影响的研究

郭颖楠 , 刘保亭 , 赵敬伟 , 王宽冒 , 王玉强 , 孙杰 , 陈剑辉

人工晶体学报

应用非晶的Ti-Al薄膜为导电阻挡层,采用射频磁控溅射法和溶胶-凝胶法在Si衬底上制备了La_(0.5)Sr_(0.5)CoO_3/Pb(Zr_(0.4),Ti_(0.6))O_3/La_(0.5)Sr_(0.5)CoO_3/Ti-Al/Si (LSCO/PZT/LSCO/Ti-Al/Si)异质结,研究了550 ℃常规退火(CTA)和快速退火(RTA)工艺对LSCO/PZT/LSCO/Ti-Al/Si结构和性能的影响.实验发现非晶Ti-Al薄膜在经过不同退火工艺后仍具有非晶结构,快速退火6 min的样品具有较好的物理性能.在418 kV/cm的外加电场下,LSCO/PZT/LSCO电容器的剩余极化强度和矫顽电场强度分别为22 μC/cm~2和83 kV/cm.LSCO/PZT/LSCO电容器的漏电行为不依赖于退火工艺,当电场强度低于46.7 kV/cm时为欧姆导电,高于46.7 kV/cm时为肖特基导电机制.

关键词: 退火工艺 , PZT , 磁控溅射法 , 溶胶-凝胶法

溅射沉积ZnO/FC多功能有机-无机杂化膜

张浴晖 , 齐宏进 , 谭金山

高分子材料科学与工程

详述了ZnO/FC杂化膜的制备方法和基本性质.该杂化膜采用射频磁控溅射法通过二次溅射在聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)基底上沉积而成.所得杂化膜的性质强烈地依赖于制备条件.用AFM、UV、XPS以及静态水接触角表征了杂化膜的形貌、结构和特性.杂化膜的表面起伏不平.静态水接触角大于90°,表现出较好的疏水性,随着放电功率的增大,杂化膜的接触角逐渐增大,压力增加,接触角逐渐减小.杂化膜具有较好的紫外线吸收性能,显示出对紫外光的多重吸收-散射作用.是一种既具有疏水性又具有抗紫外线辐射的多功能有机一无机杂化膜.

关键词: 磁控溅射法 , 杂化材料 , 氟碳 , 氧化锌

GCr15钢领基体磁控溅射类金刚石薄膜的工艺

赵帅 , 毕雅萱 , 许新军

材料保护

为了提高钢领表面耐磨性,采用中频非平衡磁控溅射法在经热处理的GCr15钢领上制备了类金刚石(DLC)薄膜,并对不同磁控溅射功率、负偏压下制备的DLC薄膜进行了组织结构分析和摩擦磨损性能测试.结果表明:随着溅射功率、负偏压增加,DLC薄膜的Raman谱G峰位置和ID/IG值均整体上呈增加趋势,sp3键含量减少,石墨化程度增加;负偏压恒定为100 V时功率为8 kW以及功率恒定为5 kW时负偏压120 V,制备的DLC薄膜具有较小的摩擦系数和稳定的抗磨损性能.

关键词: 磁控溅射法 , DLC薄膜 , GCr15钢领 , 组织结构 , 摩擦磨损性能

磁控溅射法制备HfO2薄膜及电阻转变特性研究

李艳艳 , 刘正堂 , 谭婷婷

稀有金属材料与工程

采用磁控溅射法,以ITO/Glass为衬底,制备了具有电阻转变特性的HfO2薄膜.X射线光电子能谱(XPS)分析发现,薄膜中的Hf、O元素不成化学计量比,薄膜中可能存在大量氧空位.电学测试结果表明,HfO2薄膜表现出明显的双极电阻转变特性,并且表现出良好的可靠性(室温下可重复测试102次以上)和稳定的保持性能(0.5 V偏压下保持104 s以上),高低阻态比值达到104.基于XPS以及电学分析,薄膜的导电过程可用与氧空位相关的空间电荷限制电流模型解释.

关键词: 磁控溅射法 , HfOx薄膜 , 电阻转变特性 , 双极性

FC/ZnO杂化材料的制备及耐水洗牢度

王雪 , 张浴晖 , 纪全

高分子材料科学与工程

采用射频磁控溅射法,首先以聚四氟乙烯(PTFE)为靶,氩气为载气,在聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)基底上沉积氟碳(FC)膜,然后以金属锌为靶,氩气为载气,氧气为反应气体,在FC膜上再沉积一层ZnO膜而形成FC/ZnO有机一无机纳米杂化材料.用原子力显微镜(AFM)、X射线光电子能谱仪(XPS)以及静态接触角测定仪对FC膜以及FC/ZnO杂化膜的耐水洗牢度性质进行了研究.结果表明,该法制得的沉积膜接触角都大于90°,呈现出良好的疏水性.FC/ZnO杂化膜由于沉积了无机ZnO膜,其耐水洗牢度较氟碳膜好.

关键词: 磁控溅射法 , 杂化材料 , 接触角 , 耐水洗牢度

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