李一
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任尚坤
钢铁研究学报
以20钢含V型缺陷平板试样为研究对象,通过试验方法和ANSYS仿真方法对试样在拉伸载荷下的应力分布进行反复加载卸载分析,测量了试样表面规定路径的切向和法向的漏磁场分布；分析了V型缺陷对磁记忆信号的影响以及固定位置的磁场值随应力的变化关系；最后将试验结果与模拟结果进行对比,发现试验结果与模拟结果具有很好的一致性.在应力小于50 MPa时磁场值随应力的增加而减小,在应力大于50 MPa时磁场值随应力的增加而增加.变化关系表现出了明显的应力磁化反转现象,磁化反转位置在50 MPa(约是最大应力的30％).
关键词:
静拉伸
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磁记忆检测
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力磁效应
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磁化反转
祁先进
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王寅岗
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周广宏
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李子全
功能材料
通过高真空直流磁控溅射的方法制备了结构为//Ta(5nm)/Co75 Fe25(5nm)/Cu(2.5nm)/Co75Fe25(5nm)/Ir20 Mn80(12nm)/Ta(8nm)的顶钉扎自旋阀结构多层膜,研究了磁场循环次数、反向饱和场等待时间和磁场变化率对自旋阀结构多层膜磁化反转过程的影响.结果表明,磁场循环次数和反向饱和场等待时间对自由层的磁化反转过程没有影响,而在被钉扎层中出现了练习效应和时间效应;磁场变化率对被钉扎层和自由层的前、后支反转场的影响变化趋势相似,但反铁磁层对被钉扎层的反转有一定的影响.
关键词:
自旋阀
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交换偏置场
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磁化反转
,
热激活
,
稳定性
陈杰
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王寅岗
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周广宏
,
祁先进
稀有金属材料与工程
采用磁控溅射方法制备结构为CoFe/Cu/CoFe/IrMn的自旋阀结构多层膜,研究它的热弛豫现象.实验表明,多层膜在其负饱和场中等待时,钉扎层的磁滞回线向正场方向移动,交换偏置场单调减小,并且随温度升高而加速减小.交换偏置场的减小是由反铁磁层的反转引起的,它可以看作是反铁磁磁矩越过一定能垒的热激活反转过程.温度升高后,能垒的分布发生了改变.
关键词:
热弛豫
,
IrMn基自旋阀
,
交换偏置场
,
磁化反转
张辉
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滕蛟
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于广华
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吴杏芳
,
朱逢吾
金属学报
doi:10.3321/j.issn:0412-1961.2007.06.009
采用磁控溅射方法制备了NiFe各向异性磁电阻(AMR)薄膜,经过光学曝光及离子刻蚀将NiFe薄膜制成了厚度t=20 nm、长度l=2.5 mm、宽度w分别为50,20,10,5和3μm的AMR元件.测量了AMR元件的磁电阻效应.考虑沿宽度方向退磁场的非均匀性,计算了磁电阻比率.结果表明,宽度决定了AMR元件中的退磁场分布和边缘退磁场的大小,直接影响着AMR元件的磁化反转过程.宽度越小,元件中的边缘退磁场越大,在外磁场下的磁化反转也越困难.在磁化反转过程中,磁化反转先从中心开始,逐渐扩展到边缘.
关键词:
NiFe膜
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各向异性磁电阻(AMR)
,
AMR元件
,
非均匀退磁场
,
磁化反转
