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CVD金刚石薄膜二次形核机制的研究

黄元盛 , 刘正义 , 邱万奇

材料科学与工程学报 doi:10.3969/j.issn.1673-2812.2001.01.012

根据实验观察分析提出了金刚石二次形核机制，此机制认为二次形核很容易在(100)晶面上和晶界上形成。通过比较(100)面的二次形核和形成新生长台阶的系统自由能差，可知当气氛中的碳氢基团浓度较大时，粘附在基底的碳氢基团发生堆集，如果堆集碳氢基团高度尺寸较大时将形成二次晶核。也对晶界二次形核的系统自由能差进行了推导，结果表明晶界二次形核是自发的，将导致体系自由能的下降。

关键词: 金刚石 , 二次形核 , 生长台阶 , 碳氢基团