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原位反应结合碳化硅多孔陶瓷的制备与性能

丁书强 , 曾宇平 , 江东亮

无机材料学报 doi:10.3724/SP.J.1077.2006.01397

以碳化硅(SiC)和氧化铝(Al2O3)为起始原料、石墨为造孔剂, 通过原位反应结合工艺制备SiC多孔陶瓷. XRD分析表明多孔陶瓷的主相是SiC, 结合相是莫来石与方石英; SEM观察到多孔陶瓷具有相互连通的开孔结构. 坯体在烧结前后具有很小的尺寸变化, 线收缩率约在±1.5%内. 多孔陶瓷的开口孔隙率随烧结温度和成型压力的增大而减小,
随石墨加入量的增加而增大; 而体密度具有相反的变化趋势. 随着石墨粒径的增大, 多孔陶瓷的孔径分布呈现双峰分布. 抗弯强度随烧结温度和成型压力的增大而增大, 随石墨加入量的增大而减小. 于1450℃保温4h烧成的样品在0~800℃的平均热膨胀系数为6.4×10-6/K. 多孔陶瓷还表现出良好的透气性、抗高温氧化和耐酸腐蚀性, 但耐碱腐蚀性相对较差.

关键词: 碳化硅多孔陶瓷 , reaction bonding , porosity , strength

碳化硅多孔陶瓷气孔率和强度影响因素

李俊峰 , 林红 , 李建保

无机材料学报 doi:10.3724/SP.J.1077.2011.00944

研究了陶瓷粘结剂含量、碳化硅颗粒粒径以及烧结温度对高温气体过滤用碳化硅多孔陶瓷抗弯强度和气孔率的影响. 利用X射线衍射测试了多孔陶瓷烧结后的物相组成. 陶瓷粘结剂含量的增加使碳化硅多孔陶瓷的气孔率快速下降, 在陶瓷粘结剂含量15wt%时, 碳化硅多孔陶瓷可具有较高的气孔率(37.5%)和抗弯强度(27.63MPa). 随着碳化硅颗粒粒径从300?m减少到87um, 碳化硅多孔陶瓷的气孔率和抗弯强度可同时提高, 气孔率从35.5%增加到了42.4%, 而抗弯强度从19.92MPa增加到了25.18MPa. 碳化硅多孔陶瓷的烧结温度从1300℃增加到1400℃过程中, 其气孔率从38.7%迅速下降到35.4%, 而其抗弯强度一直在27MPa左右, 没有大幅变化, 所以该多孔陶瓷的烧结温度应该选在陶瓷粘结剂熔点(1300℃)附近, 不宜过高.

关键词: 碳化硅多孔陶瓷 , filtration , flexural strength , porosity

晶硅切割废料在碳化硅及其复合材料中的应用进展

杨昱桢 , 向道平 , 吕鑫禹 , 丁雷 , 潘艳林

材料导报 doi:10.11896/j.issn.1005-023X.2015.03.010

光伏产业晶硅切割废料的传统回收工艺复杂且高纯硅的分离难度大、回收率低.而将废料提纯后直接制备碳化硅及其复合材料不仅方法简单、有效避开了硅难于分离的问题,且废料利用充分、制品多样化.从利用废料制备碳化硅粉体、碳化硅致密陶瓷、碳化硅多孔陶瓷、碳化硅/氮化硅复合材料、碳化硅基高温红外发射涂料以及碳化硅颗粒增强合金等方面综述了这一方向的研究进展,并基于该领域存在的一些主要问题,对未来的研究提出了几点建议.

关键词: 晶硅切割废料 , 碳化硅粉体 , 碳化硅多孔陶瓷 , 碳化硅复合材料

不同铝源制备莫来石结合碳化硅多孔陶瓷及性能研究

刘鹏玮 , 蔡强 , 白成英 , 邓湘云 , 李建保 , 刘张敏 , 李誉 , 杨杰 , 朱飘

材料导报 doi:10.11896/j.issn.1005-023X.2015.20.013

以碳化硅(SiC)和不同铝源(多孔Al2O3/纳米Al2O3/Al(OH)3)为起始原料,通过原位反应结合工艺制备莫来石结合碳化硅多孔陶瓷.主要研究了不同铝源及温度对多孔陶瓷抗弯强度、气孔率、线性伸缩率等性能的影响,并采用XRD和SEM分析表征了样品的物相组成与断面形貌.结果表明:以多孔Al2O3为铝源,在1450℃下保温3h制备的碳化硅多孔陶瓷的综合性能最优,其强度为58MPa,气孔率为41.9%;烧结温度对3种铝源所制备的多孔陶瓷具有相同的影响,随着温度的升高,强度逐渐升高,气孔率逐渐降低,线性收缩率逐渐增大.

关键词: 碳化硅多孔陶瓷 , 铝源 , 莫来石 , 抗弯强度 , 气孔率

原位反应结合碳化硅多孔陶瓷的制备与性能

丁书强 , 曾宇平 , 江东亮

无机材料学报 doi:10.3321/j.issn:1000-324X.2006.06.019

以碳化硅(SiC)和氧化铝(Al2O3)为起始原料、石墨为造孔剂,通过原位反应结合工艺制备SiC多孔陶瓷.XRD分析表明多孔陶瓷的主相是SiC,结合相是莫来石与方石英;SEM观察到多孔陶瓷具有相互连通的开孔结构.坯体在烧结前后具有很小的尺寸变化,线收缩率约在±1.5%内.多孔陶瓷的开口孔隙率随烧结温度和成型压力的增大而减小,随石墨加入量的增加而增大;而体密度具有相反的变化趋势.随着石墨粒径的增大,多孔陶瓷的孔径分布呈现双峰分布.抗弯强度随烧结温度和成型压力的增大而增大,随石墨加入量的增大而减小.于1450℃保温4h烧成的样品在0~800℃的平均热膨胀系数为6.4×10-6/K.多孔陶瓷还表现出良好的透气性、抗高温氧化和耐酸腐蚀性,但耐碱腐蚀性相对较差.

关键词: 碳化硅多孔陶瓷 , 反应结合 , 孔隙率 , 强度

碳化硅多孔陶瓷气孔率和强度影响因素

李俊峰 , 林红 , 李建保

无机材料学报 doi:10.3724/SP.J.1077.2011.00944

研究了陶瓷粘结剂含量、碳化硅颗粒粒径以及烧结温度对高温气体过滤用碳化硅多孔陶瓷抗弯强度和气孔率的影响.利用X射线衍射测试了多孔陶瓷烧结后的物相组成.陶瓷粘结剂含量的增加使碳化硅多孔陶瓷的气孔率快速下降,在陶瓷粘结剂含量15wt%时,碳化硅多孔陶瓷可具有较高的气孔率(37.5%)和抗弯强度(27.63MPa).随着碳化硅颗粒粒径从300μm减少到87μm,碳化硅多孔陶瓷的气孔率和抗弯强度可同时提高,气孔率从35.5%增加到了42.4%,而抗弯强度从19.92MPa增加到了25.18MPa.碳化硅多孔陶瓷的烧结温度从1300℃增加到1400℃ 过程中,其气孔率从38.7%迅速下降到35.4%,而其抗弯强度一直在27MPa左右,没有大幅变化,所以该多孔陶瓷的烧结温度应该选在陶瓷粘结剂熔点(1300℃)附近,不宜过高.

关键词: 碳化硅多孔陶瓷 , 过滤 , 抗弯强度 , 气孔率

碳化硅多孔陶瓷的制备及研究进展

张志金 , 王富耻 , 于晓东 , 王扬卫 , 邹优锐 , 李凯 , 栾志强

材料导报

碳化硅多孔陶瓷具有抗腐蚀、抗热震性及低的热膨胀系数等特点,在冶金、化工、环保、航空、微电子等技术领域具有广泛的应用.综合阐述了制备碳化硅多孔陶瓷的主要工艺与制备过程,并对相关工艺的特点进行了分析,最后展望了碳化硅多孔陶瓷的发展趋势.

关键词: 碳化硅多孔陶瓷 , 制备工艺 , 性能

三维碳化硅结构增强铝基复合材料的制备

赵敬忠 , 高积强 , 金志浩

兵器材料科学与工程 doi:10.3969/j.issn.1004-244X.2004.06.004

采用有机泡沫体浸渍工艺制备了具有三维骨架结构且气孔相互连通的碳化硅多孔陶瓷预制体,使用无压浸渗工艺制备了三维碳化硅结构增强的金属铝基复合材料,同时探讨了无压浸渗过程的反应机理及动力学过程,用XRD、SEM、光学显维镜研究了预制体和复合材料的金相组成及显维组织结构.结果表明,在金属熔体中引入合金元素Si和Mg等元素能破坏氧化铝膜,缩短无压浸渗过程的孕育期.浸渗温度越高,浸渗速度就越快.

关键词: 铝基复合材料 , 无压浸渗 , 碳化硅多孔陶瓷

碳化硅多孔陶瓷制备技术研究进展

周向阳 , 王辉 , 刘宏专 , 李劼

材料导报

分别对碳化硅多孔陶瓷的主要制备方法进行了阐述,分析了这些制备方法的主要优缺点,并指出将来的研究重点应是高性能碳化硅多孔陶瓷的低成本制备技术及其应用领域的进一步拓展.另外,各种制备工艺条件同碳化硅多孔陶瓷性能之间的内在联系研究也应该进一步深化.

关键词: 碳化硅多孔陶瓷 , 制备技术 , 低成本

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