刘振良
,
廖志君
,
范强
,
杨水长
,
伍登学
,
卢铁城
稀有金属材料与工程
用电子束蒸发的方法在单晶硅(100)基片上制备了硼碳氮薄膜,通过椭圆偏振仪、X射线衍射仪(XRD)、X光电子能谱仪(XPS)、傅立叶红外光谱仪(FTIR),测试分析了薄膜厚度均匀性、成分与结构.结果表明,薄膜均匀性较好,薄膜的沉积速率非常慢;薄膜在衬底温度为常温下沉积已是晶态的,随着衬底温度升高到450 ℃,其结晶性逐渐增强;薄膜不是石墨与BN的混和膜而是C、B、N相互结合成键.
关键词:
硼碳氮薄膜
,
XPS
,
XRD
,
FTIR
俞丹
,
卢意飞
,
戴祝萍
,
孙剑
,
吴嘉达
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2007.02.001
以烧结B4C为靶材料、在氮离子束辅助下用脉冲激光沉积方法制备了三元化合物硼碳氮(BCN)薄膜.用X光电子谱和傅立叶变换红外谱方法表征了制备的薄膜.结果表明,膜层中包含B-C、N-C、B-N键等复合结构,以B-C-N原子杂化的形式结合成键,而并非各种成分的简单混合.还探讨了成膜过程和相关机理,离子束中的活性氮有效地和脉冲激光对B4C靶烧蚀产生的硼和碳结合成键,氮离子束的辅助还能在一定程度上抑制氧杂质进入膜层,给衬底适当加温有利于提高氮的含量并影响薄膜的化学结构.
关键词:
硼碳氮薄膜
,
脉冲激光沉积
,
离子束辅助沉积
,
Kauffman离子源
杨琼
,
王传彬
,
章嵩
,
张东明
,
沈强
,
张联盟
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2010.04.011
采用脉冲激光沉积技术,在Si(100)和石英基片上制备了硼碳氮薄膜(BCN).利用X射线衍射(XRD),傅里叶变换红外光谱(FTIR)、X射线光电子能谱(XPS)和紫外-可见分光光度计对BCN薄膜进行了表征,研究了激光能量密度对BCN薄膜沉积速率、组分、结构和光学性能的影响.FTIR和XPS分析结果表明BCN薄膜中包含B-C,C-N和N-B化学键,说明实现了B、C和N的原子级化合.当激光能量密度从1 J/cm2增加到6 J/cm2时,BCN薄膜的沉积速率加快,N含量由7.2%增加到15%,光学禁带宽度(Eg)从4.02 eV降低到3.82 eV,Eg的降低主要与BCN薄膜中碳含量的增加有关.
关键词:
硼碳氮薄膜
,
脉冲激光沉积
,
成分
,
光学性能
王玉新
,
郑亚茹
,
宋哲
,
冯克成
功能材料
采用射频磁控溅射技术,用六角氮化硼和石墨为溅射靶,以氩气(Ar)和氮气(N2)为工作气体,在玻璃衬底上制备出硼碳氮(BCN)薄膜.通过改变氮气分压比、衬底温度及沉积时间,研究了沉积参量对薄膜光透过性质的影响.利用X射线光电子能谱(XPS)、原子力显微镜(AFM)及可见-近红外透过光谱对薄膜进行了表征.实验结果表明,所制备薄膜在400～1000nm波段具有较高透过率.并且沉积参量对BCN薄膜的透过性能有很大影响,适当改变沉积参量能获得透过率高于90%的BCN薄膜.在固定其它条件只改变一个沉积参量的情况下,得到制备具有较高透过率的BCN薄膜的最佳沉积条件:氮气分压比为1/3、沉积温度为300℃、沉积时间为1h.
关键词:
硼碳氮薄膜
,
射频磁控溅射
,
沉积参量
,
透过性质
雷明凯
,
袁力江
,
张仲麟
,
马腾才
无机材料学报
doi:10.3321/j.issn:1000-324X.1999.01.033
采用等离子体源离子渗氮,即低能(1～3 keV)、超大剂量(1019～1020ions.cm-2)氮离子注入--同步热扩散技术,在300～500℃处理碳化硼薄膜,合成了硼碳氮三元薄膜. 俄歇电子能谱和漫反射富氏变换红外光谱分析表明,合成的硼碳氮薄膜是碳硼比固定,氮含量可控的非晶态薄膜. 300℃渗氮的薄膜由sp2型的硼、碳、氮微区构成,而500℃渗氮的薄膜则由sp3和sp2型复合的微区组成. 较高的渗氮工艺温度促进sp3型结构的形成,渗氮工艺时间对薄膜结构的影响不显著.
关键词:
等离子体源离子渗氮
,
硼碳氮薄膜
雷明凯
,
袁力江
,
张仲麟
,
马腾才
无机材料学报
采用 Ｘ 射线光电子谱（ Ｘ Ｐ Ｓ） 分析３００ ～５００℃ 等离子体源离子渗氮硼和碳化硼薄膜合成的氮化硼和硼碳氮薄膜利用合成薄膜成分可控的特点， 研究 Ｂ、 Ｃ、 Ｎ 对薄膜的 Ｘ Ｐ Ｓ影响结果表明， Ｘ Ｐ Ｓ分析合成氮化硼薄膜能够确定其化学组成， 但不能确定ｓｐ２ 和ｓｐ３ 型键合结构特性； Ｘ Ｐ Ｓ 分析硼碳氮薄膜能够确定其成分和结构特性在较高的工艺温度下， 等离子体源离子渗氮合成的硼碳氮薄膜具有ｓｐ２ 和ｓｐ３ 型复合的键合结构
关键词:
硼碳氮薄膜
,
null
,
null
王玉新
,
冯克成
,
张先徽
,
王兴权
,
赵永年
功能材料
采用射频磁控溅射技术,用六角氮化硼和石墨为溅射靶,以氩气(Ar)和氮气(N2)为工作气体,在Si (100)衬底上制备出硼碳氮薄膜.通过X射线衍射(XRD)、傅里叶红外吸收光谱(FTIR)和X射线光电子能谱(XPS)等分析手段对样品结构、组分进行了分析.结果表明,样品的组成原子之间实现了原子级化合,且薄膜为乱层石墨结构.样品中B、C、N的原子比近似为1:1:1.
关键词:
射频磁控溅射
,
硼碳氮薄膜
,
红外吸收光谱
