乔治
,
解新建
,
刘辉
,
梁李敏
,
郝秋艳
,
刘彩池
人工晶体学报
采用RF-PECVD法在低温低功率密度下制备了p型nc-Si∶H薄膜,并系统地研究了硼掺杂对薄膜微结构及光电性能的影响.结果表明:由于“硼掺杂效应”,随着掺硼比的增大,nc-Si∶H薄膜的晶化率逐渐降低,晶粒尺寸减小,薄膜的择优取向由[111]变为[220];光学带隙逐渐减小,电导率则先升后降;本实验中薄膜的最优掺杂比为0.3％.以优化后的p型nc-Si∶H薄膜做窗口层,SHJ太阳电池的性能得到明显改善,获得了效率为14.1％的电池.
关键词:
RF-PECVD
,
nc-Si∶H薄膜
,
硼掺杂
,
SHJ太阳能电池
材料导报
概述了电化学水处理方法、高硼掺杂金刚石膜电极的电化学研究.介绍了高硼掺杂金刚石膜电极的制备、金刚石膜电极在无机和有机废水处理方面的应用.实验表明金刚石膜电极对有代表性的污水具有明显的降解作用,可与其它处理方式结合.
关键词:
金刚石膜电极
,
电化学
,
硼掺杂
,
高级氧化
王航
,
寇元
催化学报
doi:10.1016/S1872-2067(12)60674-3
水相费托合成可以在远低于传统温度下实现,其低温高效的特点使其具有重要的应用潜力.本文制备了水相稳定且可循环利用的Co纳米粒子并应用于水相费托反应,150 ℃下活性为7.4× 10-7 molco gco-1 s-1,C5+选择性接近40％,是目前纯钴水相费托合成的最好结果,而其它方法合成的催化剂在150 ℃时活性低下.对催化剂进行了粒径、结构、成分测定和原位红外光谱检测,研究了催化剂在反应中的重构过程和B掺杂效应.
关键词:
水相费托合成
,
钴纳米粒子
,
硼掺杂
,
原位红外光谱
翟晓玲
,
宋燕
,
智林杰
,
史景利
,
郭全贵
新型炭材料
以含硼酚醛树脂为碳前驱体,通过溶剂挥发诱导自组装制备了含硼中孔炭.利用低温氮气吸脱附、小角X射线散射、透射电镜等分析手段对中孔炭样品进行了结构表征,并采用三电极体系对中孔炭样品进行了电化学性能测试.讨论了硼掺杂量对中孔炭的孔结构及电化学性能的影响.结果表明:随硼含量增加,中孔炭孔径缩小且有序度降低.硼质量分数为0.3%时,中孔炭在电流密度为75mA·g-1下的单位面积比电容达到0.51 F·m-2,是未掺杂样品的1.9倍,并且仍能够保持有序的孔道结构.
关键词:
溶剂挥发诱导自组装
,
硼掺杂
,
孔结构
,
电化学性能
胡珊
,
刘广龙
,
朱端卫
,
廖水姣
材料导报
硼掺杂TiO_2光催化剂已成为非金属掺杂材料研究的热点之一.简要介绍了B掺杂TiO_2的制备方法,集中论述了B在TiO_2晶格中的掺杂状态、形貌及其光催化活性机理.B掺杂TiO_2粉末的制备方法主要有溶胶-凝胶法、机械-化学法、离子植入法、水热合成法、电化学沉积法和气溶胶辅助流法.在掺杂状态上,B在TiO_2晶格中主要以替代O方式存在.B掺杂后,TiO_2的带隙能、晶相都发生了不同程度的变化,由此产生的Lewis酸性位点、氧空位以及电子转移方式的变化可能是导致B掺杂TiO_2光催化效率提高的原因.最后指出了B掺杂TiO_2研究中有待解决的问题.
关键词:
光催化
,
硼掺杂
,
TiO2
,
晶体结构
王志
,
巴德纯
,
蔺增
,
曹培江
,
刘飞
,
梁吉
新型炭材料
doi:10.3969/j.issn.1007-8827.2005.04.011
采用电子回旋共振微波等离子体化学气相沉积技术(ECR-CVD),以Fe3O4纳米粒子为催化剂,CH4 、B2H6和H2为气源,在多孔硅基底上制备出了掺硼碳纳米管.研究了不同B2H6/CH4气体配比对碳纳米管生长特性的影响.使用扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM)和X射线光电子谱(XPS)对样品的形貌、结构及组分进行表征.结果表明:B2H6对纳米管的生长具有较大影响.气源中含有少量的B2H6就会破坏纳米管的定向生长,使纳米管变得弯曲;随着气源中B2H6比例的增加,纳米管结构从中空结构转变为类竹节结构,多壁管外径由60 nm～90 nm增大至200 nm～250 nm,管壁由10 nm～20 nm增厚至70 nm～100 nm,表面变得粗糙,同时纳米管的生长速度降低;纳米管中的B/C原子比随着B2H6比例的增大而增大,当B2H6/CH4体积配比为2:1时B/C原子比增至28:72.
关键词:
碳纳米管
,
硼掺杂
,
等离子体化学气相沉积技术
,
气体配比
徐跃
,
张彤
,
李柳暗
,
李红东
,
吕宪义
,
金曾孙
材料研究学报
doi:10.3321/j.issn:1005-3093.2009.03.007
利用XRD(包括sin2ψ法)研究了电子辅助热灯丝化学气相沉积法(EA-HFCVD)生长的自支撑硼掺杂多晶金刚石薄膜的残余应力和微观应力.结果表明,薄膜的残余应力为压应力,随着薄膜制备过程中硼流量的增加,应力值有减小的趋势.薄膜的微观应力随着硼流量的增加,由拉应力转变为压应力然后又转变为拉应力.残余应力和微观应力的变化归因于一定量的硼掺杂导致的多晶膜中晶粒尺寸、晶面取向及孪晶变化的共同作用.
关键词:
无机非金属材料
,
CVD金刚石膜
,
硼掺杂
,
XRD
,
残余应力
,
微观应力
陈天蛋
,
施剑林
,
汪霖
,
陈航榕
,
华子乐
无机材料学报
doi:10.3321/j.issn:1000-324X.2001.03.021
在勃姆石AlOOH溶胶中引入一定量的H2BO3溶液，经不同温度的热处理，制成不同硼掺杂含量的无支撑的γ-A12O3催化膜。用XRD、BET分别对膜的晶相和膜的微孔结构，包括比表面积、孔径和孔容进行了研究，结果发现：随着硼含量的增加，在低温下，膜的比表面积和孔容都不断增加，而对孔径的影响不大；经1200℃处理后，未掺杂硼的膜的比表面积，孔径和孔容分别为5.4m2/g,49nm和0.063cm3/g，而经掺杂16％摩尔硼的膜的比表面积，孔径和孔容分别为35m2/g,13nm和0.225cm3/g，这说明硼的掺杂对γ-A12O3膜的热稳定性有很好的改善作用。
关键词:
γ-A12O3膜
,
硼掺杂
,
催化膜制备
,
热稳定性
,
微孔结构
刘卫平
,
余庆选
,
田宇全
,
廖源
,
王冠中
,
方容川
无机材料学报
doi:10.3321/j.issn:1000-324X.2005.05.040
采用HFCVD方法制备了掺硼金刚石薄膜,通过扫描电子显微镜和X射线衍射光谱对样品的表面形貌及结构进行了分析.结果表明,随着硼含量的增加,薄膜中晶粒的取向由(100)变为(111),然后趋向于无序化.硼的掺入同样影响到孪晶晶粒的形态及生长因子α,使得α变小.通过对样品的Raman光谱分析,得出在适当的硼掺杂浓度下,孪晶的出现使金刚石薄膜中的应力得到松弛,从而中心声子线Raman位移红移较小.
关键词:
孪晶
,
HFCVD
,
硼掺杂
,
金刚石薄膜
王志
,
巴德纯
,
于春宏
,
梁吉
无机材料学报
doi:10.3321/j.issn:1000-324X.2006.05.035
使用电子回旋共振微波等离子体化学气相沉积方法(ECR-CVD),以Fe3O4纳米粒子为催化剂,多孔硅为基底,采用CH4/H2和CH4/B2H6/H2两种气源在连续的CVD过程中大量合成了一种新型的纳米管异质结构.扫描电镜(SEM)和透射电镜(TEM)观察表明:合成的异质结构一端是类竹节状的掺硼碳纳米管,另一端是光滑中空的纯碳纳米管.异质结构采用底端生长模式,先行生长的掺硼纳米管处于纳米管结构的顶端.
关键词:
ECR-CVD
,
异质结构
,
碳纳米管
,
硼掺杂
