王巧玲
硅酸盐通报
近来,半导体Bi2S3纳米材料由于在电视摄像、热电设备、电子和光电子器件以及红外光谱学上的广泛应用而引起了人们的极大关注.到目前为止,许多方法已被用来合成不同形貌的Bi2S3纳米结构.本文综述了Bi2S3纳米材料合成的最新研究进展,并对其发展趋势和前景进行了展望.
关键词:
硫化铋
,
半导体
,
纳米材料
,
形貌
,
研究进展
姚国光
,
马红
,
朱刚强
人工晶体学报
采用水热法在120 ℃反应12 h合成了不同形貌的Bi_2S_3纳米结构.利用XRD、SEM、TEM、HRTEM、SAED等分析方法对产物的结构和形貌进行了表征.结果表明:反应原料对产物的形貌具有重要影响,合成温度取决于矿化剂的选取.讨论了不同形貌Bi_2S_3纳米结构的形成机制,并分析了Bi_2S_3纳米结构的机理.紫外-可见吸收光谱测量表明,相对于正交相Bi_2S_3块体材料而言,由于尺寸效应,所制备的纳米粉体的吸收谱都发生了明显的蓝移.
关键词:
硫化铋
,
纳米管
,
纳米棒
,
水热法
张小敏
,
李村
,
吴振玉
,
朱维菊
人工晶体学报
以NaBiS2为前驱物采用水热法合成了硫化铋纳米管,运用X射线粉末衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、高分辨透射电子显微镜(HRTEM)、紫外-可见-近红外分光光度计(UV-Vis-NIR)、荧光分光光度计(PL)等检测手段对样品进行表征.结果表明制备的Bi2S3为正交相纳米晶,产物形貌受到反应物比例、温度、时间等因素影响,Bi2S3纳米管的形成是固体-溶液-固体转化过程.紫外-可见-近红外吸收光谱表明Bi2S3纳米管对900nm以下的光有较强的吸收,当激发波长为519 nm时,Bi2S3纳米管在778 nm处有一个较强的荧光发射峰.
关键词:
水热法
,
硫化铋
,
纳米管
