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半导体纳米晶体在薄膜晶体管中的应用

栾庆彬 , 皮孝东

材料导报 doi:10.11896/j.issn.1005-023X.2014.21.001

以非晶硅薄膜为核心的薄膜晶体管技术目前已经相当成熟,在该技术投入使用并且得以很好地优化之后,要想进一步提高薄膜晶体管的性能,就有必要开发新型的薄膜材料.近年来,由半导体纳米晶体构成的新型薄膜材料在晶体管中的应用越来越受到人们关注.利用半导体纳米晶体制备的薄膜晶体管有着较高的载流子迁移率和开关电流比,同时在其制备过程中可以在较低温度下大面积成膜,能够使用塑料等柔性衬底,因而具有明显的成本优势,发展前景广阔.着重介绍了几种颇具潜力的半导体(如硒化镉、碲化汞、硒化铅、锗、硅)纳米晶体在制备薄膜晶体管方面的应用.

关键词: 薄膜晶体管 , 有源层 , 半导体 , 纳米晶体 , 硒化镉 , 碲化汞 , 硒化铅 , ,

CdSe探测器晶片化学机械抛光工艺研究

钟雨航 , 朱世富 , 赵北君 , 任锐 , 何知宇 , 叶林森 , 温才

人工晶体学报 doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2006.05.008

采用相同温度、刚玉粉、抛光时间和不同方式配制成抛光液,对4组CdSe晶片进行抛光.研究结果表明,采用化学机械抛光能较大地提高晶片的抛光质量.通过用不同pH值的抛光液对CdSe晶片进行抛光,发现用NaOH将抛光液pH值调整为8的一组CdSe晶片,获得了最好的抛光效果,电阻率较高,达到3.2×108Ω·cm以上,适合CdSe探测器制备.

关键词: 硒化镉 , 机械化学抛光 , 抛光液 , 金相显微镜 , 电阻率

硒化镉多晶原料的提纯

李艺星 , 赵北君 , 朱世富 , 王瑞林 , 陈松林 , 何知宇 , 罗正纯 , 任锐

人工晶体学报 doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2004.03.015

采用改进的垂直无籽晶气相法生长大尺寸高质量的CdSe单晶体要求原料的纯度高.本文根据差热(DTA)和热失重(TG)测试结果,设计出连续抽空区域升华提纯CdSe原料的新方法,用该方法提纯的原料生长出大尺寸、高质量的CdSe单晶体.等离子体质谱仪(ICP-MS)分析结果表明,新方法对CdSe的提纯是有效的,纯化后的原料可以生长出大尺寸高质量的CdSe单晶体.

关键词: 硒化镉 , 提纯 , 差热分析 , 热重分析 , 等离子体质谱分析鲻

嵌段聚合物模板合成CdSe纳米粒子及表征

陈延明 , 左孝为 , 李三喜

高分子材料科学与工程

以羟基化SBS(SBS-OH)为模板,N,N-二甲基甲酰胺(DMF)为溶剂,硒代硫酸钠及乙酸镉为前驱物,"原位反应"制备了CdSe纳米粒子.通过紫外-可见吸收光谱、荧光光谱(PL)和透射电子显微镜(TEM)等方法对CdSe纳米粒子的光学性质及形貌进行了表征.结果表明,利用SBS-0H的两亲性质,可以在DMF中得到具有明显量子尺寸效应的CdSe纳米粒子.随着反应时间延长和前驱物浓度增加,CdSe纳米粒子的吸收强度增加.PL光谱表明CdSe纳米粒子具有良好的光致发光特性,可以产生较为明显的带边发光.TEM结果表明3 nm~5 nm的CdSe纳米粒子可以通过SBS-OH的自组装形成30 NM~50 nm复合结构聚集体.

关键词: 苯乙烯-丁二烯-苯乙烯嵌段共聚物 , 嵌段聚合物 , 硒化镉 , 纳米粒子

不同形貌低维纳米/微米CdSe/ZnSe的溶剂热法合成

杜芳林 , 王红妮

功能材料

利用溶剂热法,通过添加不同种类的溶剂及改变反应温度、反应时间,成功合成了具有片状、棒状、球状、圆锥花序状等不同形貌的纳米/微米级硒化镉、硒化锌半导体材料.简单讨论了表面活性剂、反应温度及反应时间对产物形貌及尺寸的影响.所得产物进行了扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM)、能谱(EDS)、X射线衍射(XRD)等表征.

关键词: 溶剂热 , 合成 , 硒化镉 , 硒化锌 , 表征

双温区生长CdSe单晶及其红外表征

叶林森 , 赵北君 , 朱世富 , 何知宇 , 任锐 , 王瑞林 , 钟雨航 , 温才 , 李佳伟

功能材料

硒化镉晶体是一种很有前途的室温核辐射探测器半导体材料,实验采用改进的双温区气相垂直提拉法成功的生长了Φ15mm×40mm,电阻率为107~108(Ω·cm)量级的硒化镉单晶体.对生长的硒化镉单晶体(110)解理晶片进行XRD、红外透过测试,结果显示:硒化镉单晶体完整性好,红外透过率>62%,表明用二步提纯,在具有较好温度梯度的双温区炉中生长晶体,能有效地控制杂质、缺陷浓度和晶体的化学配比.

关键词: 硒化镉 , 晶体生长 , 气相垂直提拉 , 电阻率 , 红外表征

聚苯乙烯微球表面合成CdSe纳米晶

夏明哲 , 李东升 , 杨德仁 , 阙端麟

无机材料学报 doi:10.3321/j.issn:1000-324X.2005.06.005

以聚苯乙烯(PS)单分散微球为模板,利用表面化学沉积,在PS微球表面合成了CdSe纳米晶.透射电子显微镜(TEM)观察发现,CdSe纳米晶以岛状形貌分布在PS微球表面,X射线衍射(XRD)分析显示合成CdSe纳米晶具有立方相结构.通过对产物形貌的演变过程进行观察分析表明,PS球周围的双电层结构对该形貌的形成起决定作用.

关键词: 聚苯乙烯 , 硒化镉 , 纳米颗粒 , 表面合成

不同形貌CdSe纳米晶的合成及其形成机理研究

段像龙 , 马海红 , 徐卫兵 , 周正发 , 任凤梅

材料导报

采用水热反应法,通过调节反应时间制备得到了不同形貌的CdSe纳米晶材料,并用TEM、XRD、EDS、XPS等分析手段对其形貌结构进行表征.研究表明,在反应温度为180℃的条件下,所得产物均为六方晶相的CdSe 纳米晶,形貌随着反应时间的改变而发生变化:当控制反应时间为2h、5h、10 h时,得到的CdSe纳米晶的形貌分别为树枝状、由树枝状到棒状过渡的簇状及棒状.分析了CdSe纳米晶形成的化学反应原理,并运用结晶学原理和相关模型理论对CdSe纳米晶的形成机理及其形貌变化进行了探讨.

关键词: 硒化镉 , 纳米晶 , 形貌反应时间

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