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Bi2O3-SiO2系统固相反应研究

王燕 , 王秀峰 , 于成龙 , 田清泉

硅酸盐通报 doi:10.3969/j.issn.1001-1625.2007.02.036

利用XRD、DSC研究了Bi2O3-SiO2系统的固相反应.按物质的量比1∶1将Bi2O3与SiO2混合物在一定温度下处理一定时间获得生成产物并探讨了不同反应条件下产物生成规律.结果表明:亚稳化合物Bi2SiO5在固相反应时产生,并随温度及保温时间按一定规律变化.750 ℃保温不同时间所获试样的XRD谱表明随着固相反应时间的延长,反应物Bi2O3的衍射峰减弱,生成物Bi12SiO20衍射峰增强,反应越完全.在固相反应过程中生成的亚稳相Bi2SiO5随着反应时间延长衍射峰减弱.固相反应温度由700 ℃升高至900 ℃过程中,Bi12SiO20逐渐转变为Bi4Si3O12.

关键词: 硅酸铋 , 亚稳Bi2SiO5 , 固相反应 , Bi2O3-SiO2

Dy3+掺杂Bi4Si3O12晶体生长及其热释光特性

汪美玲 , 徐家跃 , 张彦 , 储耀卿 , 杨波波 , 申慧 , 田甜

无机材料学报 doi:10.15541/jim20160221

采用坩埚下降法生长了Dy3+掺杂浓度分别为0.1 mol%、0.2mol%、0.3mol%、2mol%、3mo1%和4mol%的Bi4Si3O12(BSO)晶体.发现高浓度(2mol%以上)掺杂能够显著改变BSO晶体的析晶行为,晶体表面析出物完全消失,顶部呈现光滑结晶面;低浓度(低于0.3mol%)掺杂能够显著提高晶体的光输出,最高可达纯BSO的145%.晶体热释光谱测试结果表明:少量Dy3+掺杂虽然热释光峰略有增强,但有利于晶体光产额的提高;高浓度掺杂则容易引起晶格畸变,甚至产生新的缺陷,降低晶体的光产额.

关键词: 硅酸铋 , 晶体生长 , Dy3+掺杂 , 热释光 , 光产额

Eu3+掺杂Bi4Si3O12材料的制备和发光特性

张彦 , 徐家跃 , 张婷婷

无机材料学报 doi:10.3724/SP.J.1077.2011.11200

采用传统的固相合成法制备了Eu3+掺杂的Bi4Si3O12发光材料. 使用X射线粉末衍射技术对制备的发光粉体进行了表征. Eu3+掺杂的Bi4Si3O12材料的激发谱表明, 在265 nm处强而宽的谱带对应于Eu3+ → O2-之间的电荷转移跃迁带. 在用紫外光激发的荧光光谱中, Eu3+掺杂的Bi4Si3O12材料在614 nm处有强的红光发射. 材料的激发和发射光谱结果表明, Eu3+掺杂的Bi4Si3O12有望做为红色固体发光的候选材料.

关键词: 硅酸铋 , phosphor , europium luminescence

熔盐法制备单一相Bi12SiO20粉体

鲁俊雀 , 王秀峰 , 江红涛 , 许雅琴

硅酸盐通报

本文报道了一种较低温度下合成单一相Bi12SiO20粉体的新方法.以Bi2O3和SiO2为原料,KCl-K2CO3为熔剂,采用熔盐法于635℃合成了Bi12SiO20粉体.XRD分析表明该粉体为单一相Bi12SiO20,SEM分析显示冷却速率对合成Bi12SiO20粉体的尺寸及形貌有重要影响;此外,合成粉体的尺寸随着盐含量的增加而增大,且粉体团聚现象明显减弱.

关键词: 硅酸铋 , Bi12SiO20 , 熔盐法

Eu3+掺杂Bi4Si3O12材料的制备和发光特性

张彦 , 徐家跃 , 张婷婷

无机材料学报 doi:10.3724/SP.J.1077.2011.11200

采用传统的固相合成法制备了Eu3+掺杂的Bi4Si3O12发光材料.使用X射线粉末衍射技术对制备的发光粉体进行了表征.Eu3+掺杂的Bi4Si3O12材料的激发谱表明,在265 nm处强而宽的谱带对应于Eu3+→O2-之间的电荷转移跃迁带.在用紫外光激发的荧光光谱中,Eu3+掺杂的Bi4Si3O12材料在614 nm处有强的红光发射.材料的激发和发射光谱结果表明,Eu3+掺杂的Bi4Si3O12有望做为红色固体发光的候选材料.

关键词: 硅酸铋 , 荧光粉 , 铕发光

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