介明印
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赵广军
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曾雄辉
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何晓明
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张连翰
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夏长泰
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徐军
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2004.06.025
本文用中频感应提拉法生长出尺寸为φ30mm×150mm,质量好的GSO:Ce晶体.并对晶体进行XRD测试和差热分析,初步分析引起晶体开裂的原因,最后测试了晶体室温下的吸收和荧光光谱等,GSO:Ce晶体发射峰为433nm,晶体在大于400nm范围其光透过率大于80%.
关键词:
硅酸钆晶体
,
闪烁晶体
,
提拉法生长
,
开裂
,
荧光光谱
