耿学文
,
李美成
功能材料
贵金属纳米粒子催化性能的研究已成为当前新材料及能源科学研究领域的热点之一.最近,在用贵金属粒子作为催化剂,辅助刻蚀硅衬底制作太阳能电池减反射层方面开展了大量的研究工作.综述了近年来贵金属粒子催化刻蚀硅制备减反射层的研究进展,分析了贵金属粒子的催化机理和减反射层制作的影响因素,展望了贵金属粒子催化刻蚀薄膜太阳能电池硅衬底研究的发展趋势.
关键词:
贵金属粒子
,
催化剂
,
硅衬底
,
减反射层
刘保亭
,
程春生
,
赵庆勋
,
闫正
,
马良
,
李锋
,
武德起
功能材料
应用溶胶-凝胶法成功地在以SrTiO3(STO)为模板/阻挡层Si(001)基片上制备了La-Sr-Co-O/ Pb(Zr0.5Ti0.5)O3(PZT)/La-Sr-Co-O/STO/Si异质结,PZT的厚度为0.8μm.研究了异质结的结构和性能.实验发现,PZT结晶良好、具有(001)高度择优取向以及较高的极化强度和较小的极化强度对脉冲宽度的依赖性;当外加电压为50V时,电阻率仍＞108Ω·cm.
关键词:
硅衬底
,
锆钛酸铅
,
溶胶-凝胶法
,
厚膜
新型炭材料
doi:10.1016/S1872-5805(13)60082-7
以向日葵油的甲基酯为碳源,二茂铁为催化剂前驱体,Ar为载气,通过喷雾热解法在硅衬底上合成定向碳纳米管阵列.结果表明,在硅衬底上原位形成Fe催化剂纳米颗粒.由拉曼光谱、透射电镜图和X-射线衍射谱图显示所制定向碳纳米管阵列具有较好的石墨化程度,其直径为10～30 nm,管壁约为10nm.所制定向碳纳米管阵列中残留的催化剂含量可以忽略.
关键词:
喷雾热解法
,
定向碳纳米官阵列
,
二茂铁
,
硅衬底
,
化学气相沉积
李刚
,
周明
,
马伟伟
,
蔡兰
材料热处理学报
采用K575X高分辨率溅射仪在单晶硅衬底上制备镍纳米催化剂薄膜.研究了高温氨气刻蚀对镍催化剂由连续薄膜转变成纳米颗粒的影响.探讨了预处理时间、温度和催化剂薄膜原始厚度等工艺参数对镍薄膜微结构的影响,得到了镍催化剂薄膜的氨预处理规律,并初步分析了氨气对其形貌变化的影响机理.研究结果表明,获得均匀、细小和高密度过渡镍金属催化剂颗粒的工艺条件是预处理时间、温度和催化剂薄膜原始厚度分别为12min、800℃和10nm.
关键词:
氨气刻蚀
,
溅射
,
纳米颗粒
,
硅衬底
刘全生
,
张希艳
,
柏朝晖
,
王能利
,
王晓春
,
米晓云
,
卢利平
,
孔智艳
硅酸盐通报
采用溶胶-凝胶旋涂法在Si衬底上制备了Mg0.3Zn0.7 O薄膜,采用X射线衍射仪、扫描电子显微镜、紫外-可见荧光光谱仪和紫外-可见分光光度仪测试了Mg0.3Zn0.7O薄膜的结构和光学性能.结果表明:Si衬底上Mg0.3.Zn0.7O薄膜以六方相ZnO纤锌矿为主,存在少部分立方相MgO,薄膜均匀,平均粒径约为40 nm.吸收光谱中吸收边位于313 nm,相应的带隙为3.96 eV.发光光谱是峰值位于421 nm的宽带谱,激发光谱范围宽,具有近紫外激发优势.
关键词:
Mg0.3Zn0.7O薄膜
,
溶胶凝胶法
,
硅衬底
,
紫外发光
陈同来
,
李效民
,
张霞
,
高相东
,
于伟东
无机材料学报
doi:10.3321/j.issn:1000-324X.2005.06.033
研究了脉冲激光淀积MgO薄膜的过程中,制备工艺参数对薄膜结晶性的影响.研究发现,MgO薄膜的结晶性主要受控于衬底温度和激光能量密度,而薄膜的生长速率则依赖于脉冲频率、衬底与靶材间的距离以及激光能量密度.通过对比不同靶材,即金属Mg靶和烧结陶瓷MgO靶,对薄膜结晶性的影响,发现通过添加一层TiN籽晶层可以显著改善薄膜的结晶质量.最后在优化的制备工艺参数:衬底温度Ts=873K,激光能量密度DE=7J/cm2,靶材与衬底间距离DsT=70mm,激光脉冲频率FL=5Hz以及采用烧结陶瓷MgO靶材和添加TiN籽晶层的情况下,获得层状生长模式和表面具有原子级平整度的MgO薄膜.
关键词:
脉冲激光淀积
,
MgO薄膜
,
硅衬底
,
RHEED
刘金锋
,
刘忠良
,
武煜宇
,
徐彭寿
,
汤洪高
无机材料学报
doi:10.3321/j.issn:1000-324x.2007.04.030
利用固源分子束外延(SSMBE)技术,在Si(111)衬底上异质外延生长3G-SiC单晶薄膜,通过RHEED、XRD、AFM、XPS等实验方法研究了衬底温度对薄膜结构、形貌和化学组分的影响.研究结果表明,1000℃生长的样品具有好的结晶质量和单晶性.在更高的衬底温度下生长,会导致大的孔洞形成,衬底和薄膜间大的热失配使降温过程中薄膜内形成更多位错,从而使晶体质量变差.在低衬底温度下生长,由于偏离理想的化学配比也会导致薄膜的晶体质量降低.
关键词:
碳化硅薄膜
,
硅衬底
,
固源分子束外延
,
衬底温度
刘忠良
,
任鹏
,
刘金锋
,
徐彭寿
无机材料学报
doi:10.3321/j.issn:1000-324X.2008.03.026
利用固源分子束外延(SSMBE)生长技术,在不同的硅碳蒸发速率比(Si/C)条件下,在Si(111)衬底上生长SiC单晶薄膜.利用反射式高能电子衍射(RHEED)、X射线衍射(XRD),原子力显微镜(AFM)和傅立叶变换红外光谱(FTIR)等实验技术,对生长的样品形貌和结构进行了研究.结果表明,在Si/C比(1.1:1.0)下生长的薄膜样品,XRD ω扫描得到半高宽为2.1°;RHEED结果表明薄膜具有微弱的衍射环,有孪晶斑点.在Si/C比(2.3:1.0)下生长的薄膜,XRD ω扫描得到的半高宽为1.5°,RHEED显示具有Si的斑点和SiC的孪晶斑点. AFM显示在这两个Si/C比下生长的样品表面都有孔洞或者凹坑,表面比较粗糙.从红外光谱得出薄膜存在着比较大的应力.但在si/C比(1.5:1.0)下生长的薄膜样品,XRD ω扫描得到的半高宽仅为1.1°;RHEED显示出清晰的SiC的衍射条纹,并可看到SiC的3×3表面重构,无孪晶斑点;AFM图像表明,没有明显的空洞,表面比较平整.FTIR谱的位置显示,在此Si/C比下生长的薄膜内应力比较小.因此可以认为,存在着一个优化的Si/C比(1.5:1.0),在这个Si/C比下,生长的薄膜质量较好.
关键词:
硅碳比
,
碳化硅
,
硅衬底
,
固源分子束外延
要秉文
,
郝相雨
,
籍凤秋
人工晶体学报
采用以硅衬底为硅源的简单方法,在蘸有一层催化剂(0.05 M FeCl2·6H2O)薄膜的硅基片上直接制备了大量的单晶Si纳米线.用扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM)分别观察了硅纳米线的形貌及单根Si纳米线的显微结构.试验结果表明:随着温度的升高,纳米线的直径增大;催化剂是Si纳米线生成的重要因素,没有沉积催化剂的硅基片上不会有硅纳米线的生成,且该硅纳米线的生长机理为典型的气-液-固模式.
关键词:
硅纳米线
,
气-液-固机理
,
硅衬底
耿学文
,
李美成
,
赵连城
功能材料
制备高效硅薄膜太阳能电池,需要在整个太阳光谱范围内进行有效陷光和保持低反射率.最近,对于硅衬底的陷光结构展开了大量的研究工作.综述了近年来硅衬底陷光结构的研究进展,分析了陷光结构制作的影响因素,展望了薄膜太阳能电池硅衬底陷光结构研究的发展趋势.
关键词:
薄膜太阳能电池
,
硅衬底
,
陷光结构
