李常青
,
周婷婷
,
梅欣丽
,
任晨星
材料科学与工程学报
采用化学刻蚀两步法制备硅纳米线.在制作过程的不同阶段,通过金相显微镜,扫描电子显微镜及透射电子显微镜分别对其表面形态进行观察.结果表明,通过两步法制作的硅纳米线比传统刻蚀方法制作的样品具有更细的直径.光致发光的测量结果表明,两步法制备的硅纳米线在可见光领域有较强的红光发射.
关键词:
硅纳米线
,
银辅助化学刻蚀
,
扫描电子显微镜
,
光致发光
裴立宅
中国材料进展
doi:10.3969/j.issn.1674-3962.2007.06.003
硅纳米线作为一种新型的一维纳米材料,在纳米电子器件、光电器件及集成电路方面具有很好的应用前景.介绍了硅纳米线在制备方面的国内外研究现状与进展,重点讨论了基于金属催化气-液-固(VLS)生长机理、氧化物辅助生长机理的硅纳米线制备及模板法等制备硅纳米线的研究成果、特点及生长机理.与金属催化VLS生长机理相比,氧化物辅助生长硅纳米线不需要金属催化剂,能避免金属污染,保证了硅纳米线的纯度,因而是今后深入研究的方向.
关键词:
硅纳米线
,
激光烧蚀法
,
热蒸发法
,
模板法
,
生长机理
梁伟华
,
王秀丽
,
丁学成
,
褚立志
,
邓泽超
,
郭建新
,
傅广生
,
王英龙
功能材料
采用基于密度泛函理论的第一性原理的方法,对[100]方向镍间隙掺杂硅纳米线结构的稳定性和电子性质进行了计算。计算结果表明Ni原子更喜欢占据硅纳米线内部六角形间隙位置;掺杂体系费米能级附近的电子态密度来源于Ni3d态电子的贡献;同时发现不同构型的Ni掺杂硅纳米线,其带隙不同,且与未掺杂硅纳米线相比,带隙普遍减小。
关键词:
硅纳米线
,
掺杂
,
电子性质
,
第一性原理
裴立宅
,
唐元洪
,
陈扬文
,
郭池
,
张勇
功能材料
硅纳米线是近年来发展起来的一种新型的纳米半导体材料.电镜、X射线光电子能谱(XPS)、拉曼光谱、近边X射线吸收精细结构光谱(NEXAFS)、能量色散X射线分析(EDS)等方法是表征硅纳米线的有效手段,由于硅纳米线具有特殊的光致发光、场发射、电子输运等性能,可以实现在纳米传感器等多种纳米电子器件及合成其它纳米材料的模板方面的应用.本文综述了硅纳米线的表征、性能及应用的最新进展.
关键词:
硅纳米线
,
掺杂
,
表征
,
性能
,
应用
裴立宅
,
唐元洪
,
郭池
,
张勇
,
陈扬文
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2006.01.008
硅纳米线与硅纳米管是两种重要的一维硅纳米材料,由于具有量子限制效应等性能在光电子器件方面具有潜在的应用前景.总结了近年来硅纳米线在光学特性方面的研究进展,重点介绍了本征硅纳米线、掺杂硅纳米线及硅纳米线阵列的光致发光光谱(PL)的最新进展情况,同时涉及了硅纳米管在PL发射光谱方面的研究结果.并对其发展作了展望
关键词:
硅纳米线
,
硅纳米管
,
光学特性
,
光致发光特性
裴立宅
,
唐元洪
,
陈扬文
,
张勇
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2004.04.001
掺杂是制备硅纳米线半导体器件的一个有效手段.介绍了掺杂硅纳米线的最新进展,主 要就掺杂种类,包括硼、磷及锂掺杂硅纳米线,性能测量,包括光致发光特性、电子输运特性、场 发射特性及其近端 X射线吸收精细结构光谱等及在单电子探测器与计数器、存储元件、纳米线 传感器等最新应用研究进展进行了较详细的讨论,最后对掺杂硅纳米线的发展前景作了展望.
关键词:
硅纳米线
,
掺杂
,
性能
,
应用
裴立宅
,
唐元洪
,
张勇
,
郭池
,
陈扬文
材料工程
doi:10.3969/j.issn.1001-4381.2005.06.014
氧化物辅助生长机理是近年来在合成硅纳米线的过程中发展起来的一种研究一维纳米材料生长的机理,根据此机理已经制备出了多种一维纳米材料.介绍了氧化物辅助生长机理及其根据此机理制备硅纳米线的制备方法,载气、压力及原料等不同条件对合成硅纳米线的影响等进展情况,并对其发展作了展望.
关键词:
硅纳米线
,
氧化物辅助生长
,
激光烧蚀
,
热蒸发
唐元洪
,
林良武
稀有金属材料与工程
采用X射线吸收精细结构谱(XAFS)和X射线激发发光谱(XEOL),在Si的K边和L3,2边研究了硅纳米线的光电特性.在XAFS中虽然没有观察到跃迁边的明显蓝移,但可观察到跃迁边平缓上升和特征峰逐渐变得模糊,这意味着长程有序被破坏并产生了显著的量子尺寸效应,XAFS测量的是各种小尺寸的硅纳米线分布的平均特性.XEOL的结果表明硅纳米线的发光来自于包裹的二氧化硅和镶嵌在氧化物层中的纳米硅晶体颗粒以及硅与二氧化硅之间的界面.
关键词:
硅纳米线
,
光电特性
,
X射线吸收谱
,
X射线激发发光谱
刘建刚
,
范新会
,
陈建
,
于灵敏
,
严文
材料科学与工程学报
doi:10.3969/j.issn.1673-2812.2005.04.030
研究发现,热蒸发铜粉即可在硅衬底上直接生长出硅纳米线.场发射电子扫描电镜和透射电镜分析表明,纳米线的形貌、结构及生长机制,随沉积区域的不同而变化.在高温沉积区,硅纳米线高度弯曲且相互缠绕,按气-液-固机制生长;在低温沉积区,高度定向生长的直硅纳米线,规整地排列在硅衬底表面,其生长机制是氧化辅助生长机制.
关键词:
热蒸发
,
硅纳米线
,
气-液-固机制
,
氧化辅助生长机制
