陈乐
,
谢敏
,
金璐
,
王锋
,
杨德仁
材料科学与工程学报
利用射频磁控溅射法通过调节硅(Si)靶的溅射功率制备了不同的富硅氧化硅(SiOx,1＜x＜2)薄膜.通过高温热处理,得到了镶嵌在SiOx薄膜中的硅纳米晶(Si-NCs).而SiOx薄膜热处理后的光致发光(PL)强度及其MOS器件的导电性都存在随其硅含量的增大而先增强后减弱的趋势,且光致发光有一定的红移现象.这是由于随着硅含量的增大,SiOx薄膜中Si-NCs的结构与分布发生改变,形成“接触”Si-NCs,从而使得光学和电学性能发生改变.
关键词:
射频磁控溅射
,
富硅氧化硅
,
硅纳米晶
,
光致发光
,
导电性
王乙潜
,
梁文双
,
Ross Guy
功能材料
利用离子注入结合后续高温退火的方法成功地制备出包埋在二氧化硅(SiO_2)基质中的硅纳米晶.利用透射电子显微学对所制备的硅纳米晶(离子注入浓度为3×10~(17)cm~(-2))的微观结构缺陷进行了详细的研究.通过高分辨像分析发现:较大的纳米晶(直径＞6nm)中存在很多面缺陷,主要为孪晶与层错.孪晶包括一次孪晶、二重孪晶、三重孪晶及五重孪晶.层错分为内禀和外禀两种类型,并讨论了内禀层错占多数的原因.除了面缺陷以外,还有一部分纳米晶中存在位错.
关键词:
硅纳米晶
,
透射电子显微学
,
面缺陷
,
线缺陷
丁艳华
,
杜庆田
,
王乙潜
,
材料科学与工程学报
硅纳米晶材料显示出许多集成器件所需的性能,已倍受人们的关注,成为国内外研究的热点.本文对利用不同方法制备的硅纳米晶的微观结构进行了综述,并对两种不同的发光机制进行了概述.人们在硅纳米晶的制备和表征方面取得了较大的进展,但对硅纳米晶的发光机制还未完全了解,有待进一步的研究.
关键词:
硅纳米晶
,
微观结构
,
发光机理
