肖清华
,
屠海令
,
周旗钢
,
王敬
,
常青
,
张果虎
稀有金属
doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2002.06.013
SOI材料被誉为"二十一世纪硅集成电路技术"的基础. 它可消除或减轻体硅中的体效应、寄生效应及小尺寸效应等, 在超大规模集成电路、光电子等领域有广阔的应用前景. 介绍了注氧隔离、智能剥离、硅片剥离及外延层转移等几种主要的制备SOI材料的方法及近期相关的研究成果. 降低制造成本、提高材料质量以及获得足够薄的顶部硅层是近年来SOI材料制备技术改进的目标.
关键词:
SOI
,
注氧隔离
,
智能剥离
,
硅片键合与减薄
,
外延层转移
