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硅微米晶须的定向排列生长

于灵敏 , 范新会 , 严文

兵器材料科学与工程 doi:10.3969/j.issn.1004-244X.2004.03.014

利用物理热蒸发法在1 016~1 066℃的温度范围内成功制备出定向排列生长的硅微米晶须.借助扫描电子显微镜(SEM),X射线能谱分析仪(EDX)和透射电子显微镜(TEM)研究了硅微米晶须的形貌、化学成分及晶体结构,讨论了环境压力对硅微米晶须生长有序性的影响.研究结果表明,在环境压力为13.3kPa...

关键词: 硅微米晶须 , 定向排列 , 环境压力

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