材料期刊网

1. 首页
2. 检索结果页

原词结果 | 译词结果

UHV/CVD硅外延的实时硼掺杂研究

王亚东 , 黄靖云 , 叶志镇 , 汪雷 , 马德群 , 赵炳辉

材料科学与工程学报 doi:10.3969/j.issn.1673-2812.2001.02.009

本文利用超高真空化学气相沉积系统(UHV/CVD)在720℃Si(100)衬底上进行了实时B掺杂的硅外延.采用二次离子质谱仪(SIMS),傅立叶红外光谱(FTIR),扩展电阻仪(SRP)对外延层的性能进行研究.研究表明:720℃生长时已经实时掺入了B原子,1000℃退火5分钟后,外延层中B原子被激活,浓度达到1017～1O18cm-1,且过渡层分布陡峭.

关键词: 超高真空化学气相沉积 , 实时B掺杂 , 硅外延

利用UHV／CVD技术在双层多孔硅上外延硅研究

汪雷 , 黄靖云 , 叶志镇

材料科学与工程学报 doi:10.3969/j.issn.1673-2812.2000.04.019

利用UHV／CVD技术，在较低的温度下，在阳极氧化形成的双层多孔硅上，成功地生长了单晶性好、厚度均匀、电阻率分布合适的硅单晶外延层。这为进一步研制SOI材料与器件提供了所需的薄硅外延层。

关键词: 多孔硅 , 硅外延 , 超高真空CVD

出版年份

刊物分类

相关作者

相关热词