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徐向勤 , 杜军
电镀与涂饰 doi:10.3969/j.issn.1004-227X.2007.09.009
金属硅化物因其薄膜电阻率低,熔点高,化学性质稳定,在微电子领域具有广阔的使用前景.本文系统地阐述了硅化钛的性质、制备方法(包括自对准硅化物技术及CVD技术)及其应用.对硅化钛在集成电路中的应用进行了重点介绍.
关键词: 硅化钛 , 薄膜 , 微电子 , 集成电路
李建林 , 江东亮 , 谭寿洪
无机材料学报 doi:10.3321/j.issn:1000-324X.2000.02.023
研究了原位生成TiC/Ti5Si3纳米复合材料的显微结构.实验结果表明，以SiC和Ti为原料，通过反应热压工艺可以原位合成TiC/Ti5Si3复合材料，其中的大部分TiC粒子为纳米粒子.TiC晶粒与Ti5Si3晶粒的晶界上存在原子台阶.复合材料还含有少量Ti3SiC2相.这些Ti3SiC2相主要呈棒状分布在Ti5Si3基体中，另有少量Ti3SiC2相位于大的TiC晶粒内.
关键词: 原位 , 碳化钛 , 硅化钛 , 纳米复合材料
