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内部硅化法制备低成本C/SiC复合材料

闫联生 , 李贺军 , 崔红 , 王涛

材料工程 doi:10.3969/j.issn.1001-4381.2005.09.011

采用内部硅化法制备了低成本C/SiC复合材料,通过三点弯曲法表征了复合材料的强度,采用X射线衍射(XRD)分析了基体组成,通过扫描电镜(SEM)研究了纤维/基体界面和复合材料断裂面的微观结构.结果表明,纤维表面沉积CVD-SiC保护涂层能够有效保护碳纤维不被硅侵蚀,调整硅粉和酚醛树脂配比使C∶Si摩尔比等于10∶ 9,可消除SiC基体中的残余自由硅.研制的低成本2D C/SiC复合材料的弯曲强度和剪切强度分别达到247MPa与13.6MPa.2D C/SiC复合材料的断裂行为呈现韧性破坏模式,在断裂面存在大量的拔出纤维,复合材料的断裂韧性(KIC)达到12.1MPa·m1/2.

关键词: 液相渗硅技术 , 碳/碳化硅复合材料 , 界面涂层 , 硅化处理

硅化处理对炭纤维石墨化度的影响

王秀飞 , 黄启忠 , 宁可焱 , 尹彩流 , 苏哲安 , 朱建军

材料工程 doi:10.3969/j.issn.1001-4381.2007.01.012

对炭纤维在真空炉中进行2100℃硅化处理.用SEM分析了炭纤维在硅化处理前后表面形貌的变化,利用能谱测定了其硅化处理后的成分变化并加以分析,用X射线衍射分析了热处理和硅化处理后的炭纤维石墨化度的变化.结果表明:处理后的炭纤维出现富C的SiC表层,内部为含有SiC的C芯,并伴随有类球状SiC颗粒的形成.沿炭纤维径向分布的SiC含量呈现梯度分布,其芯部的SiC含量为2.46%(质量分数,下同),靠近表层的SiC含量增加到7.53%,表面的SiC含量达到13.25%;纤维表面的类球状颗粒为含C的SiC颗粒,其中SiC的含量为30.55%.在2100℃热处理的炭纤维石墨化度几乎为0,而在2100℃硅化处理的炭纤维石墨化度高达48.5%.

关键词: 硅化处理 , 石墨化 , 炭纤维 , 碳化硅

石墨摩擦学性能、润滑机理及改性的研究进展

吕柏林 , 崔跃 , 高学朋 , 吴敏 , 刘峰 , 苏辉 , 周文龙 , 陈国清

材料导报 doi:10.11896/j.issn.1005-023X.2015.019.011

综述了环境气氛、温度、载荷、晶粒度、电流和磁场等因素对石墨材料的摩擦磨损性能的影响,以及浸渍处理、硅化处理、层间插入处理等对石墨材料性能的改善和各种润滑机理,指出石墨材料性能还存在缺陷和不足,提出对石墨材料的摩擦磨损特性、润滑机理和改性处理方面还需深入研究.

关键词: 石墨 , 摩擦磨损行为 , 润滑机理 , 改性 , 浸渍处理 , 硅化处理

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