邓江辉
,
赵北君
,
朱世富
,
何知宇
,
郭楠
,
李佳伟
材料工程
doi:10.3969/j.issn.1001-4381.2010.01.016
采用金相显微镜和扫描电镜观察了垂直布里奇曼法生长的新型红外非线性光学晶体砷锗镉(CdGeAs_2)单晶片(101)面蚀坑形貌.选择机械研磨、物理抛光及质量分数为3%溴甲醇在室温下对晶片化学抛光1min左右的工艺,获得了表面平整无划痕的CdGeAs_2晶片.报道了一种新的CGA晶体择优腐蚀剂,其组成为HCl∶HNO_3∶H_2O=1∶1∶1(体积比),室温下腐蚀晶片30s左右后在金相显微镜和扫描电镜下观察到CdGeAs_2晶体(101)晶面的腐蚀坑,蚀坑形貌呈取向一致的等腰三角形,边界清晰,具有立体感,并从理论上分析讨论了(101)面三角形蚀坑的形成原因.
关键词:
非线性红外光学晶体
,
砷锗镉
,
腐蚀剂
,
蚀坑形貌
何知宇
,
赵北君
,
朱世富
,
陈宝军
,
李佳伟
,
张熠
,
杜文娟
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2010.01195
对新型中红外非线性光学材料CdGeAs2的多晶合成和单晶生长进行了研究.以高纯(99.9999%)As、Ge、Cd为原料,按照CdGeAs2化学计量比并适当富Cd、As配料,采用机械振荡与熔体温度振荡相结合的方法合成出CdGeAs2多晶材料,使用改进的坩埚下降法生长出φ15mm×45mm、外观完整无开裂的CdGeAs2单晶体.XRD全谱拟合精修、红外傅里叶分光光度计测试分析表明:合成的CdGeAs2晶体具有单相四方黄铜矿结构,晶格常数为a=b=0.5946nm,c=1.1217nm;生长出的CdGeAs2单晶体结构完整,结晶性好,晶体的易解理面为(101)面,红外透明范围589～4250cm-1,拟合计算出CdGeAs2晶体的禁带宽度为0.67eV.
关键词:
砷锗镉
,
多晶合成
,
单晶生长
,
XRD分析
,
红外透过谱
