材料期刊网

TEM观察砷化镓晶片损伤层

陈坚邦 , 钱嘉裕 , 杨钧

稀有金属 doi:10.3969/j.issn.0258-7076.1998.05.016

用透射电镜、扫描电镜对GaAs材料加工工艺中的表面损伤层进行了观察和检测. 结果切片损伤层深度≤50 μm、双面研磨损伤层深度≤15 μm、机械化学抛光损伤层深度 (腐蚀前) <1.2 μm. 分析了损伤结构及其引入的因素.

关键词: 砷化镓晶片 , 损伤层 , 透射电镜(TEM) , 扫描电镜(SEM)