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李昭宁 , 王六定 , 王小冬 , 席彩萍 , 沈中元 , 赵景辉 , 吴宏景
人工晶体学报
本文利用第一性原理研究了化学掺杂(N和B)对Armchair石墨纳米带(AGNR)电子性质的影响.结果发现:N和B原子有不同的最佳掺杂位置,掺杂使AGNR分别成为n型或P型半导体.纳米带宽度不同时,掺杂对AGNR电子结构如能级、能隙、轨道分布等有不同影响.
关键词: 化学掺杂 , 石墨纳米带 , 第一性原理
