冯林
,
王燕华
,
钟莲
,
王佳
,
李爱娇
,
金晓晓
中国腐蚀与防护学报
doi:10.11902/1005.4537.2015.162
采用动电位极化(PDS)、电化学阻抗谱(EIS)、电容测量以及阵列电极等技术研究了Cu的短期贮存对其腐蚀电化学行为的影响.结果表明,金属Cu表面膜呈现p型半导体结构,经过短期贮存后载流子浓度减小,腐蚀电位正移,腐蚀电流密度下降,表面膜对腐蚀阴极过程、阳极过程均有抑制作用.Cu在NaCl液滴下呈现典型的局部腐蚀特征;经过贮存后,电极表面润湿性减弱,腐蚀活性降低,总体平均腐蚀强度减弱,但是局部腐蚀强度反而增强.
关键词:
阵列电极
,
短期贮存
,
Cu
,
Mott-Schottky曲线
,
液滴
,
腐蚀
