张映桃
,
王罡
,
聂振国
,
石万凯
,
融亦鸣
材料热处理学报
经过真空保护高温退火,1J50软磁合金可以获得好的直流磁性能.退火工艺参数对软磁性能有特定的影响.在这篇文章中,根据国标设计了1J50试样,并对试样进行了一系列真空保护条件下的高温退火实验.研究了退火温度和保温时间对试样直流磁性能和微观组织影响.结果表明:退火工艺参数与材料的微观组织和磁性能之间存在非线性的关系.建立了磁性能、晶粒尺寸和退火工艺参数之间的数学模型来描述他们之间的定量关系.
关键词:
真空退火
,
1J50软磁合金
,
直流磁性能
,
晶粒尺寸
许静
,
李宇杰
,
李运鹏
人工晶体学报
通过电化学沉积方法向PS胶体晶体模板缝隙中填充五氧化二钒,焙烧去除模板后,在真空度小于10-2Pa,温度510℃下退火12 h,得到具有特定应用价值的二氧化钒反蛋白石(opal)光子晶体.用扫描电镜观察样品的微观形貌,用X射线衍射分析样品成份.实验结果表明,通过电化学沉积制备出的二氧化钒反蛋白石光子晶体,相变电阻突变数量级在2～3之间,相变温度62℃左右.
关键词:
电化学沉积
,
真空退火
,
二氧化钒
,
光子晶体
,
反蛋白石
时惠英
,
张彬
,
蒋百灵
,
张永宏
,
陈梓山
材料热处理学报
采用闭合场非平衡磁控溅射离子镀技术制备了掺Cr类石墨镀层,研究了真空退火温度对镀层的硬度、结合强度、摩擦系数和比磨损率的影响规律,通过X射线衍射(XRD)分析了镀层结构随退火温度的变化.结果表明:随退火温度的升高,镀层有新相生成,镀层的膜基结合强度降低,镀层硬度随温度的升高先增加后降低,退火温度为500℃时,镀层显微硬度最大;随退火温度的升高镀层摩擦系数呈现出先降低后升高的变化趋势,比磨损率逐渐增大.
关键词:
类石墨镀层
,
真空退火
,
微观组织
,
摩擦学性能
孙宝玉
,
巴德纯
,
房也
,
杨彬
,
段永利
功能材料
机加工成一定尺寸和形状的烧结NdFeB薄型磁体,由于表面晶粒形变和缺陷的产生引起了磁性能的降低,适当的真空退火热处理后,其磁性能将会得到恢复和提高.通过SEM扫描电镜,X射线衍射和磁性能的测量,研究了退火热处理对磁体表面层晶粒微结构、应变、亚晶粒尺寸和磁性能的影响.结果表明,在三相共晶点温度以上,900℃×2h+490℃×5h的退火可以完全消除机加工产生的应变、应力和缺陷.其次,表面层内晶界富Nd相的毛细管作用和扩散迁移,使富Nd相均匀、连续地分布在晶粒和晶界周围.这种富Nd相网状结构,消除了机加工磁体表层内的晶界裂纹和缺陷,对磁体性能的恢复和提高起着重要的作用.
关键词:
NdFeB
,
薄型磁体
,
磁性能
,
真空退火
,
微组织结构
,
应变和亚晶粒
孙乃坤
,
杜宝盛
,
高印博
,
柳峰
,
蔡宗岐
,
赵美星
功能材料
doi:10.3969/j.issn.1001-9731.2013.13.009
用脉冲激光沉积技术在Si(100)基底上制备了纯Al2O3、掺杂浓度为0.3％、1％(质量分数)的Cr3+:Al2O3薄膜.制备态的薄膜为立方γ-Al2O3结构,经800℃真空条件下退火1h样品的结晶度有所提高,呈现α-Al2O3相与γ-Al2O3相的衍射峰.薄膜基本保持了靶材中原有各元素成分比例,平均粒径为250nm,形貌为条形.与Al2O3粉体相比,制备态薄膜在386nm处的发光峰强度明显提高.这可归因于薄膜中氧空位的增加使双氧空位吸收电子所产生的F2+色心浓度提高.薄膜经真空退火后在332、398nm附近的发光峰强度明显增强,这是由于薄膜中氧空位的增加提高了F+、F色心浓度.与此同时,制备态薄膜在386nm附近发光峰经退火后由386nm蓝移至381nm,可归因于退火后制备态薄膜的内应力得到了释放.1％(质量分数)Cr3+掺杂薄膜在646、694nm出现Cr3-离子由4T2能级跃迁至4A2能级及由E能级跃迁至4A2能级产生的荧光发光峰.
关键词:
脉冲激光沉积
,
Cr3+掺杂的氧化铝薄膜
,
荧光光谱
,
真空退火
孟影
,
金绍维
,
高娟
,
圣宗强
材料导报
不同厚度的Nd0.7Sr0.3MnO3(NSMO)外延膜是由脉冲激光沉积生长在(LaAlO3)0.3(Sr2AlTaO6)0.7(LSAT)(001)衬底上的.X射线衍射(XRD)和电阻率测量结果显示,沉积氧压为21.333Pa时薄膜c轴参数随着膜厚的减小而增加,同时金属-绝缘体的转变温度TP下降,电阻率增大；另一组生长在27.999Pa氧压下,厚度为120nm的薄膜单胞体积随着退火温度的升高而增大,同时电阻率升高,TP下降.上述结果归因于低的原位沉积氧压和真空退火引起的氧缺失导致n(Mn3+)/n(M甜+)的增大以及MnO6八面体的畸变.结果表明,对超薄的应变薄膜,要获得较高的TP值,较高的沉积氧压是必需的,同时应仔细考虑真空退火对薄膜性能的影响.
关键词:
外延膜
,
沉积氧压
,
真空退火
,
输运特性
汪渊
,
李晓华
,
宋忠孝
,
徐可为
,
尉秀英
稀有金属材料与工程
以不同温度真空原位退火工艺为手段,促使制备在单晶Si(100)和Al2O3基底上的Cu-W薄膜发生相变.用X射线衍射(XRD)分析晶体取向,偏振相位移技术分析薄膜残余应力.结果表明,随退火温度变化,薄膜相变呈现连续变化,由初始的非晶态晶化,出现类W的亚稳态固溶体相,以及随退火温度的进一步增加,发生Spinodal分解,亚稳固溶体完全分解为W和Cu两相.薄膜发生相变时产生拉应力作用,而在晶粒生长阶段,拉应力释放.
关键词:
Cu-W薄膜
,
相变
,
残余应力
,
真空退火
李月巧
,
李伟洲
,
梁天权
,
胡治流
,
孙超
材料保护
为了弄清AlCrN涂层在高温环境中的抗氧化机制,采用电弧离子镀技术制备了AlcrN涂层,对真空退火和短时氧化处理后的沉积层采用扫描电镜(SEM)、X射线衍射(XRD)分析和元素成分(EDS)进行了观察和分析.结果表明:真空退火处理的沉积层中CrN相逐渐转变为Cr2N,并释放出N2;在900,1000℃下氧化1～5 h,沉积层中部分Cr2N与O2反应生成Cr2O3,此时涂层的物相以Cr2N和Cr2O3为主,并含少量CrAlN相;氧化至10 h,沉积层表面生成以Cr2O3和Al2O3为主的氧化膜,此氧化膜的生成有利于涂层抗氧化性能的提高.
关键词:
电弧离子镀
,
AlCrN沉积层
,
初期氧化
,
真空退火
江民红
,
刘心宇
材料热处理学报
采用陶瓷烧结靶材、射频磁控溅射法制备了(002)择优取向的Al掺杂ZnO薄膜,着重研究了不同的热处理工艺对显微结构、光电性能的影响.结果表明,真空400℃退火能大幅提高ZAO薄膜的导电性能,并保持其平均透光率在85%以上,而非真空退火(大气环境)将使ZAO薄膜材料绝缘化,400℃真空退火时间或退火次数对导电性能无明显影响,但随退火时间和退火次数的增加薄膜组织恶化,在真空循环退火条件下尤为严重;经400℃真空退火的薄膜样品,其最低电阻率达8.4×10-4Ω·cm.
关键词:
ZAO薄膜
,
真空退火
,
导电性能
,
组织
