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电绝缘用ta-C薄膜的微观结构与电学特性

宋朝瑞 , 俞跃辉 , 邹世昌 , 张福民 , 王曦

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2003.04.010

采用ta-C薄膜用于SOI结构中的绝缘层,在高温高功率器件中有很大的应用潜力.应用真空磁过滤弧源沉积(FAD)的方法制备了ta-C薄膜.通过AFM、non-RBS、IR、I-V、C-V等方法对薄膜的表面形貌、微观结构和电学性能进行了研究.研究表明,ta-C薄膜的sp3键含量高达87%,且具有很高的表面光洁度(粗糙度低于0.5nm)及较好的电绝缘性能,击穿场强达到4.7MV/cm.

关键词: ta- C薄膜 , 真空磁过滤弧源沉积 , SOI , 电绝缘性能

离子束薄膜合成及其应用

柳襄怀 , 李昌荣 , 郑志宏 , 杨根庆 , 王曦 , 邹世昌

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2001.02.001

报道了中国科学院离子束开放研究实验室在离子束薄膜合成研究和应用方面的发展和现状。着重介绍离子束辅助沉积薄膜合成、真空磁过滤弧源沉积薄膜生长，以及离子注入 SOI材料合成的方法及其物理过程 ,同时也对离子束合成薄膜在工业及国防上的应用进行了探讨。

关键词: 离子束辅助沉积 , 真空磁过滤弧源沉积 , SOI

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