朱昌逑
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江波
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安涛
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陈刚
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崔银会
钢铁
针对重载车轮的损伤特点,研制了一种以C、Si为主要强化元素的铁素体-珠光体型车轮新材料,通过C、Si含量的合理配合,使车轮材料具备了高强度并保持了较高的韧性,同时具有合理的相变特性.装车运行试验表明,与目前常用的车轮材料相比,这种车轮材料的抗机械损伤性能和抗热损伤性能得到了较好的协调,更适合重载运输条件.
关键词:
重载铁路
,
车轮
,
铁素体-珠光体钢
,
力学性能
,
相变特性
宋林伟
,
黄婉霞
,
张玉波
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徐元杰
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张阳
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李娜
,
李丹霞
功能材料
以双氧水和V2O5粉末为前驱体制备出V2O5溶胶,然后在云母基底上成膜,通过后续热处理退火得到优异相变性能的VO2薄膜.采用SEM、XRD分析薄膜形貌和微观结构,利用FT-IR等检测薄膜的光学性质.实验表明,VO2薄膜在云母基底上沿(011)晶面择优取向生长,颗粒生长致密且大小分布均匀.薄膜具有优异的相变陡然性,相变温度及滞后温宽都较低.在红外波段,相变前后透过率及反射率变化都较大,对红外光调节性能较好;在可见光波段,薄膜在相变前后都具有较高可见光透过率.
关键词:
VO2薄膜
,
相变特性
,
溶胶-凝胶
,
双氧水
,
光学性质
郭茶秀
,
胡高林
,
罗志军
新型炭材料
为强化二元硝酸共晶盐( NaNO3/KNO3)的导热性能,在共晶盐中添加石墨泡沫制出石墨泡沫/共晶盐复合相变材料;对共晶盐和复合相变材料的相变特性进行差示热分析;对石墨泡沫的导热系数和复合相变材料的有效导热系数进行测定,并用拉曼光谱对复合相变材料进行稳定性分析。结果表明,石墨基复合材料可以用熔融浸渗法制备,且制备样品的稳定性能良好。复合相变材料的相变温度(221.3°C)与共晶盐(222.4°C)相似,其相变潜热与基于复合材料中共晶盐含量的潜热值相近(下降3.74%)。受石墨骨架高热导率的影响,复合相变材料的导热能力明显提高,与纯共晶盐比增加了102倍。
关键词:
石墨泡沫
,
共晶盐
,
熔融浸渗
,
导热系数
,
相变特性
吴晓琳
,
孙蓉
,
朱朋莉
,
杜如虚
材料导报
采用界面聚合法制备了以石蜡为芯材、聚甲基丙烯酸甲酯为壳层的纳米胶囊相变材料.胶囊的直径为100~400nm,相变焓可达29J/g,封装比率约为35%.采用差示热扫描量热仪(DSC)对PMMA@PCM经40℃、60℃及100℃热处理后相变特性的变化进行了探讨.结果显示,随着热处理时间的延长,相变温度均有所升高.凝固温度的升高是由于胶囊表面形成了一定量的相变晶种,而熔化温度的升高则是由于纳米胶囊体积的增加而引起的热传导率降低.这一研究结果将有助于分析纳米胶囊相变过程的微结构变化理论.
关键词:
纳米胶囊
,
相变材料
,
界面聚合
,
相变特性
齐济
,
宁桂玲
,
刘风娟
,
陈会英
,
王承遇
材料导报
VO2是一种温感相变材料,在68℃左右它从低温半导体相向高温金属相转变,同时其光学和电学性质发生突变.通过掺杂可以调整VO2的相变温度,掺杂VO2在建筑用节能窗等方面有广阔的应用前景.综述了掺杂VO2粉体和掺杂VO2膜的制备方法和性能,讨论和分析了制备方法、掺杂工艺、基片选择与预处理、掺杂离子性质、复合掺杂离子种类对VO2结构和性能的影响.指出化合价大于V4+的掺杂剂能使VO2相变温度降低,化合价小于V4+的掺杂剂能使VO2相变温度升高,化合价等于V4+的掺杂剂,其离子半径大于V4+的能使VO2的相变温度降低,离子半径小于V4+的能使VO2的相变温度升高.提出了掺杂VO2研究中存在的问题,对掺杂VO2的研究趋势进行了展望.
关键词:
二氧化钒
,
离子掺杂
,
相变特性
罗毅
,
吴晓春
,
张洪奎
机械工程材料
比较了大截面塑料模具钢中460 mm×800 mm×3 200 mm非调质预硬型SWFT钢和500 mm×800 mm×2 900 mm调质预硬型3Cr2MnNiMo钢的截面硬度以及心部和表层的显微组织,测试了两种钢的奥氏体连续冷却转变曲线.结果表明:两种钢都具有较好的淬透性,强烈推迟了块状先共析铁素体的出现;两种钢截面硬度波动均在±1.5 HRC内;3Cr2MnNiMo钢表层显微组织为回火马氏体,心部为回火贝氏体,反映出其淬火后的回火工艺调整了截面硬度;而SWFT钢有较宽的贝氏体相变范围,使得其心部和表层在锻造空冷后都得到均匀的贝氏体组织.
关键词:
塑料模具钢
,
组织
,
相变特性
黄维刚
,
王燕
功能材料
采用射频磁控溅射法在玻璃基片上制备了VO2薄膜.采用XRD、AFM和红外光谱仪研究了不同基片温度所得薄膜的结构、光学性能和相变特性.实验结果表明,薄膜的结晶程度随基片温度的增加而增加,并且VO2具有(011)择优取向.基片温度在400℃以上的VO2薄膜均出现较好的相变特性,500℃时的薄膜相变特性最佳.薄膜的红外透过率随着沉积温度的增加而逐渐增加.
关键词:
VO2薄膜
,
射频磁控溅射法
,
相变特性