聂德品
材料导报
利用电子回旋共振CVD设备制备了一种硫系GeSbTe薄膜,并用纳米硬度计考察了其抗压性能,同时采用划痕实验以及摩擦力显微镜研究了GeSbTe薄膜的摩擦特性.结果表明:GeSb2Te4膜的微观抗载荷性能随着膜厚的增加而显著增强;对于90nm厚度的GeSb2Te4来说,施加1000霳左右的载荷所获得的硬度和弹性模量值受基体的影响较小,分别为2.07GPa、38.70GPa;湿度对Ge2Sb2Te5膜和针尖粘附的影响没有GeSb2Te明显,而且粘附力的存在会改变摩擦系数.
关键词:
GeSbTe膜
,
抗压性能
,
摩擦性能
,
相变存储
储茂友
,
林阳
,
王星明
,
陈洋
,
白雪
,
韩沧
稀有金属
doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2013.01.011
在前期Ge-Sb-Te基相变存储材料Ge2 Sb2 Te5靶材和薄膜制备研究的基础上,分别选取掺杂5.6％(原子分数)的Sn,Bi作为添加剂对其进行掺杂改性.采用热压法制备出高主相含量、高致密度六方结构Ge2Sb2Te5基靶材.常温下沉积的薄膜为非晶态,经150 ～ 350℃退火处理,薄膜相结构经历了由非晶态到立方相再到六方相的相转变过程.掺杂5.6％(原子分数)的Sn在入射光波长为500 nm时的反射率对比度相比未掺杂薄膜提高了14％,该薄膜潜在的光存储性能更好.掺杂Sn,Bi后结晶态与非晶态间的电阻率差异度有所增加.
关键词:
相变存储
,
掺杂改性
,
靶材
