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孔伟华
无机材料学报
研究直流磁控反应溅射ITO膜过程中ITO靶材的毒化现象,用XRD、EPMA、LECO测氧仪等手段对毒化发生的机理进行分析,并对若干诱导因素进行讨论,研究表明ITO靶材毒化是由于In2O3。主相分解为In2O造成的,靶材性能及溅射工艺缺陷都可能诱导毒化发生.
关键词: 直流磁控反应溅射 , ITO target , poisoning phenomenon
王世军 , 丁爱丽 , 仇萍荪 , 何夕云 , 罗维根
无机材料学报 doi:10.3321/j.issn:1000-324X.2000.04.027
为研究氧化铱(IrO2)对PZT铁电薄膜疲劳性能的影响，利用直流(DC)磁控反应溅射(sputtering)工艺成功地在SiO2/Si(100)衬底上制得了高度取向的IrO2薄膜. 并在其上制成PZT铁电薄膜. 讨论了溅射参数(溅射功率、Ar/O2比、衬底温度)以及退火条件对氧化铱薄膜的结晶、取向和形态的影响.
关键词: 氧化铱薄膜 , 直流磁控反应溅射 , 热退火
无机材料学报 doi:10.3321/j.issn:1000-324X.2002.05.031
研究直流磁控反应溅射ITO膜过程中ITO靶材的毒化现象,用XRD、EPMA、LECO测氧仪等手段对毒化发生的机理进行分析,并对若干诱导因素进行讨论,研究表明ITO靶材毒化是由于In2O3主相分解为In2O造成的,靶材性能及溅射工艺缺陷都可能诱导毒化发生.
关键词: 直流磁控反应溅射 , ITO , 毒化现象
