姜霞
,
赵正平
,
张志国
,
骆新江
,
杨瑞霞
,
冯志红
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2010.04.014
基于电荷控制模型,分析了极化,载流子迁移率,饱和电子漂移速度,导带断续,掺杂浓度,沟道温度等与自然效应的关系,并考虑了寄生电阻对自热效应的影响,建立了模拟AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管直流Ⅰ-Ⅴ特性的解析模型.通过与试验值的对比,该模型具有较高的精度,并且计算过程简单,可以用来指导器件结构和电路的设计.
关键词:
AlGaN/GaN
,
高电子迁移率晶体管
,
解析模型
,
自热效应
,
直流Ⅰ-Ⅴ特性
