彭观良
,
周圣明
,
周国清
,
李抒智
,
王银珍
,
邹军
,
苏凤莲
,
刘世良
,
徐军
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2004.06.002
本文采用导向温梯法(TGT)生长[0001]方向的白宝石晶体,利用气相传输平衡(VTE)技术对晶体表面进行处理,发现双面抛光的C面白宝石晶片高温下与富锂(Li2O蒸气)气氛发生反应,表面生成一层γ-LiAlO2,随着VTE反应温度从750℃下降到730℃,γ-LiAlO2晶核的颗粒也随着减小,在730℃时已在1μm以下,经稀盐酸(HCl)腐蚀后形成多孔的表面,此方法有望制备出用于外延GaN的多孔衬底.
关键词:
白宝石
,
温梯法
,
气相传输平衡
,
多孔表面
,
GaN
,
多孔衬底
李抒智
,
周圣明
,
司继良
,
周国清
,
董永军
,
徐军
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2003.05.018
采用导向温梯法(TGT)生长出[0001]方向直径为76mm的白宝石晶体.利用扫描电子显微镜(SEM)观察晶体(0001)面的腐蚀坑形态,并对晶体内部的包裹物进行了能谱(EDS)分析.白宝石晶体中的生长缺陷主要为位错和包裹体等.Al2O3晶体(0001)面的位错腐蚀坑呈六角形,并且有台阶状结构.分析了(0001)面内的位错类型.确定了TGT法生长的白宝石内部的包裹物的主要成分为碳.
关键词:
白宝石
,
温梯法
,
位错
,
化学腐蚀
,
包裹物
彭观良
,
李抒智
,
庄漪
,
邹军
,
王银珍
,
刘世良
,
周国清
,
周圣明
,
徐军
,
干福熹
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2005.05.014
采用气相传输平衡(VTE)技术,在(0001)面白宝石衬底表面上成功地制备出单相γ-LiAlO2层.研究了白宝石衬底表面形貌对γ-LiAlO2层质量的影响,发现白宝石衬底的表面粗糙度和退火处理是两个影响γ-LiAlO2层质量的重要因素.要制备高质量的γ-LiAlO2层,适度的表面粗糙度是恰当的.对白宝石衬底进行退火处理,γ-LiAlO2层的择优取向变差.并对其中可能的机理进行了探讨.
关键词:
白宝石
,
γ-LiAlO2
,
气相传输平衡
,
GaN
,
衬底
冯丽萍
,
徐新
材料开发与应用
doi:10.3969/j.issn.1003-1545.2005.03.010
用射频磁控反应溅射法,以高纯Si为靶材,高纯O2为反应气体,在白宝石上制备SiO2薄膜.对影响薄膜生长的工艺参数进行了分析,测试了薄膜的成分,并研究了薄膜的红外光学性能.结果表明,制备的薄膜中Si和O形成SiO2化学键,计算出的O与Si的原子比接近2:1,采用射频磁控反应溅射法在白宝石上能够沉积出SiO2薄膜.制备出的SiO2薄膜对白宝石衬底有较好的增透作用.
关键词:
磁控反应溅射
,
白宝石
,
二氧化硅薄膜