欢迎登录材料期刊网
高庆福 , 冯坚 , 成慧梅 , 周仲承 , 王娟 , 张长瑞
材料导报
超低介电常数纳米多孔SiO2薄膜在未来超大规模集成电路(ULSI)中有着广阔的应用前景,但其疏水性能的好坏是决定其能否在ULSI中应用的重要因素之一.介绍了国内外有关纳米多孔SiO2薄膜疏水性的原理、工艺以及表征方法.
关键词: 纳米多孔SiO2薄膜 , 疏水处理 , 接触角 , 低介电常数
高庆福 , 冯坚 , 李明月 , 张长瑞 , 王小东 , 冯军宗
稀有金属材料与工程
采用TMCS对超临界干燥后的纳米多孔SiO2薄膜进行疏水处理,利用FTIR、SEM、椭偏仪和LCR测量仪等对薄膜的性能进行表征.研究表明:TMCS修饰后薄膜呈疏水性;薄膜的厚度有所降低,但孔隙率无明显变化;薄膜的实测介电常数值接近理论计算值,为2.0～2.3,且随时间无显著增大.
关键词: 纳米多孔SiO2薄膜 , 疏水处理 , 低介电常数
