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PZT陶瓷中由氧空位与畴壁相互作用引起的内耗

贺连星 , 李承恩 , 陈廷国 , 王志勇 , 晏海学

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2001.01.004

采用低频倒置扭摆内耗仪对组分为Pb(Zr0.7Ti0.3)O3(PZT73)和Pb(Zr0.3Ti0.7)O3(PZT37)的两种陶瓷的内耗Q-1及振动频率的平方f2(正比于材料的剪切模量G)与温度的关系进行了测定。在纯三角相的PZT73陶瓷中发现两个内耗峰。高温内耗峰PM起源于材料的顺电-铁电相变,低温内耗峰P1本质上是一个宽化的Debye峰,可归因于氧空位作用下的畴壁振荡弛豫。对纯四方相的PZT37陶瓷,除了P1和PM峰外,在P1与PM峰之间另有内耗峰P2,这与900畴附近的氧空位团簇的弛豫有关,其特征可用描述强关联系统的关联态模型(Couplingmodel)描述。

关键词: 内耗 , PZT陶瓷 , 氧空位 , 畴壁

磁记忆检测力-磁效应微观机理的试验研究

任吉林 , 陈晨 , 刘昌奎 , 陈曦 , 舒铭航 , 陈星

航空材料学报 doi:10.3969/j.issn.1005-5053.2008.05.009

铁磁材料在地磁场环境中受载荷的作用,其内部会发生具有磁致伸缩性质的磁畴组织定向和不可逆的重新取向.将去应力退火后的20钢和45钢压缩试件分别施加不同载荷并制作成金相观察试样,利用粉纹法观察受力程度不同的试件的磁畴结构,然后,对比同种材料不同载荷试样的磁畴结构照,分析不同残余应力对磁畴的影响.试验表明:未受力或应力集中较小时,晶粒内磁畴以片状畴为主,同一晶粒内畴壁相互平行,随着应力集中程度的增加,磁畴结构出现迷宫畴.且应力集中程度越大,迷宫畴个数越多,同时畴壁长度和间距发生改变.

关键词: 金属磁记忆 , 磁畴 , 畴壁 , 迷宫畴 , 片状畴

偏铌酸铅陶瓷低频内耗的研究

贺连星 , 李承恩 , 陈廷国 , 刘卫 , 朱震刚 , 水嘉鹏

无机材料学报 doi:10.3321/j.issn:1000-324X.2000.05.010

用低频倒置扭摆对改性偏铌酸铅?铁电陶瓷的内耗进行了研究. 在新加工的样品中发现了六个内耗峰,分别位于70C(P1峰)、90C(P2峰)、200C(P3峰)、260C(P4峰)、430C(P5峰)和510C(P6峰)处. 对引起P3、P1、P2和P4峰的物理机制进行了详细探讨. 分析结果表明,P3峰的本质是一宽化的Debye弛豫内耗峰,相应的激活能和指前因子分别为1.01eV和2.410-14s. ?它源于氧空位与畴壁的相互作用. P1、P2和P4峰与试样的切割加工密切相关,可归结为点缺陷与位错的交互作用.

关键词: 内耗 , 偏铌酸铅陶瓷 , 畴壁 , 氧空位

双轴向列相液晶中畴壁的研究

李健 , 周璇 , 王晓燕 , 徐洪亮 , 张志东

液晶与显示 doi:10.3788/YJYXS20132803.0301

利用双轴向列相液晶的连续体弹性理论研究畴壁,在双轴相中发现了9种不同的畴壁.这些畴壁的形状与单轴向列相中的畴壁相似.忽略展曲形变和弯曲形变之间的弹性各向异性,发现双轴相中的展-弯曲壁与扭曲壁有相似的解析解.通过对展-弯曲壁进行数值计算,发现弹性常数的比值会影响畴壁的宽度.

关键词: , 畴壁 , 解析解 , 数值计算

铁基纳米晶合金条带在低频低场下磁化机制的磁谱研究

徐锋 , 覃文 , 彭坤 , 都有为

功能材料

利用磁谱研究了铁基纳米晶合金条带在低频低场下的动态磁化性能对条带厚度的依赖性,从而探讨了其磁化机制.实验结果和基于畴壁振动方程的解释充分一致,证实了被钉扎的畴壁振动是在低频低场下该种材料的主导磁化机制.

关键词: 纳米晶软磁材料 , 磁谱 , 畴壁

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