甘国友
,
孙加林
,
陈敬超
,
陈永中
,
严继康
中国有色金属学报
通过建立界面扰动模型, 推导了三元固态置换反应系界面稳定性的化学势梯度判据. 结果表明: 如果扰动微区前沿速率控制元素的化学势梯度升高小于20.7%, 平面界面稳定长大, 将形成层状结构; 若大于20.7%, 平面界面不稳定长大, 将形成束集型结构. 计算了某一常见假设下棒状束集型结构的束集密度.
关键词:
固态置换反应
,
原位复合材料
,
界面稳定性
,
束集密度
丰建武
,
樊亚夫
,
李茂
,
任维丽
,
钟云波
,
任忠鸣
上海金属
以Al-0.85wt％ Cu合金为研究对象,在实验和理论上研究了纵向稳恒弱磁场对液固界面稳定性的影响.实验结果表明,界面稳定性随着磁场强度的增加表现出先增强后减弱的规律.对界面前沿熔体内部流动场进行模拟分析得出,热电磁对流效应起主导作用时界面稳定性增强,磁制动起主要作用时界面稳定性减弱.
关键词:
纵向弱磁场
,
定向凝固
,
Al-0.85wt％Cu合金
,
界面稳定性
,
热电磁对流
黄益宾
,
柳和生
,
黄兴元
,
熊爱华
高分子材料科学与工程
基于流变学基本方程和Phan Thien—rranner（PTT）本构方程，建立了矩形截面双层型材口模气辅共挤出和传统共挤出的三维非等温粘弹有限元模型，使用粘弹应力分离法（EVSS）、非协调流线迎风法（SU）等有限元方法数值模拟了两种聚合物熔体在口模内的流动过程，得到了气辅共挤和传统共挤层间界面的三维形貌图和剪切应力分布，对比分析了两种共挤界面的粘性包覆和剪切应力分布情况，研究结果表明，气辅共挤可使粘性包围程度减小60％以上，界面剪切应力峰值减小30％以上，气辅共挤将能有效改善共挤制品层厚分布均匀性及界面稳定性。
关键词:
气辅共挤
,
有限元
,
非等温
,
粘性包覆
,
界面稳定性
杨爱民
,
刘林
材料研究学报
doi:10.3321/j.issn:1005-3093.2001.06.021
给出了定向凝固平界面稳定性新的判据,(1+3k/y0)ξ+[1+(1+k)y0/4k≥1其中A为无量纲速度,ξ GLS/mGc,yo是有关A和ξ的一个二次方程的根.新判据的最大特点是可直接由凝固参数推断界面的稳定性,不用解高次方程发现MS绝对稳定性速度Va仅在加权温度梯度GLS→0时才是界面稳定性的临界速度当GLS＞0时,K大于实际的临界速度.给出了一个新的绝对稳定性梯度条件,并求出了最小的绝对稳定性无量纲临界梯度.
关键词:
界面稳定性
,
绝对稳定性
,
临界速度
,
定向凝固
,
温度梯度
陈光
,
俞建威
,
谢发勤
,
傅恒志
金属学报
doi:10.3321/j.issn:0412-1961.2001.05.009
在控制温度梯度、抽拉速率等工艺参数相同的条件下,首次发现熔体过热历史对Ni基高温合金定向凝固界面形态具有显著影响.随着熔体过热温度的提高和过热时间的延长,液固界面稳定性降低;相反,随着低温静置时间的延长,液固界面稳定性提高.熔体热历史对定向凝固液固界面形态影响的根本原因在于对熔体结构状态的改变,进而影响凝固过程.
关键词:
熔体过热历史
,
定向凝固
,
界面形态
,
界面稳定性
,
高温合金
李涛
,
陈光
,
林鑫
,
黄卫东
金属学报
doi:10.3321/j.issn:0412-1961.2006.06.004
采用SCN-5%Water(原子分数)透明模型合金和Sn-15%Pb(质量分数)合金对机械搅拌条件下凝固组织形态演化过程分别进行了实时动态观察和淬火金相组织分析.实验结果表明,在强烈机械搅拌作用下,两类实验合金在凝固过程中最早观察到的初生组织均为球晶组织.从实验上证实了通过适当的搅拌可直接获得球状晶组织;同时,在实验条件范围内,搅拌的进行还可促进球晶组织在相对较高温度下产生.根据凝固界面形态稳定性理论对球晶组织形成机制的分析表明:熔体中初生固相的旋转运动有利于提高液-固界面的稳定性,促进凝固组织保持球状稳定生长.
关键词:
对流
,
晶体生长
,
半固态加工
,
凝固组织
,
界面稳定性
汤文明
,
郑治祥
,
丁厚福
,
金志浩
无机材料学报
doi:10.3321/j.issn:1000-324X.2001.02.016
烧结致密的α-SiC在静态空气气氛中经1200℃×10h氧化,在其表面形成一层致密的氧化膜,该层氧化膜具有β-方石英晶体结构.氧化膜的生长由O2通过SiO2晶格间隙的扩散控制.SiC/Fe界面反应剧烈,界面稳定性极差.SiC表面氧化能有效阻挡该界面反应，提高其稳定性.900℃以下长时间保温，氧化SiC/Fe界面十分平直，无明显反应的迹象，界面十分稳定.但随着温度的升高，界面稳定性越来越低，在局部区域内开始发生反应，并逐渐扩展到整个界面，最终导致氧化膜遭到破坏，失去阻挡界面反应的作用.氧化膜与SiC、Fe热膨胀系数不匹配所造成的应力集中，以及氧化膜中存在的孔隙可能是导致氧化膜在热处理过程中遭到破坏的主要原因.
关键词:
烧结SiC
,
被动氧化
,
界面稳定性
,
反应阻挡层
