蔡小五
,
海潮和
,
王立新
,
陆江
,
刘刚
,
夏洋
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2008.05.015
为研究Power VDMOS中辐照引起的氧化物陷阱电荷和界面态电荷情况,用Co-60源对Pow-er MOSFET进行了总剂量的辐照实验,移位测试了器件的亚阈值曲线漂移情况,通过最大斜率线性外推法和亚阈值分离方法提取了开启电压、增益因子、迁移率、氧化物陷阱电荷和界面态电荷随辐照总剂量的漂移情况.研究结果表明:在1000krad(Si)辐照下器件开启电压漂移小于2V,迁移率退化小于20%,氧化物陷阱电荷和界面态电荷处于比较理想的状态,小于2×1011cm-2.
关键词:
VDMOS
,
辐照
,
氧化物陷阱电荷
,
界面态电荷
