危书义
,
张芳
,
黄文登
,
李伟
,
赵旭
液晶与显示
doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2006.04.009
采用赝原胞模型计算讨论纤锌矿InxGa1-xN混晶性质;基于宏观介电连续模型的传递矩阵方法研究任意层纤锌矿量子阱中的界面声子, 得出任意层纤锌矿量子阱中的界面声子的本征模解和单量子阱的色散关系,并对InxGa1-xN/GaN单量子阱界面声子的色散关系进行了数值计算和讨论.结果表明,纤锌矿InxGa1-xN混晶中的E1声子和A1声子都表现为单模行为;在对称非应变单量子阱GaN/InxGa1-xN/GaN中,界面声子频率随x的变化呈线性关系.
关键词:
InxGa1-xN/GaN
,
界面声子
,
量子阱
危书义
,
王雁
,
魏玲玲
液晶与显示
doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2008.02.002
根据介电连续模型和单轴晶体模型,运用传递矩阵的方法研究了纤锌矿量子阱中的界面声子,并且计算和讨论了纤锌矿GaN/ZnO单量子阱和耦合量子阱中的界面声子的色散关系.计算结果表明纤锌矿晶体的各向异性对界面声子模有大的影响:界面声子模出现在两个能量区域中,分别是:[停琓Zno,鵽,TGaN]和[停琇Zno,鵽,TGaN];界面声子随波数q⊥的减小色散越发明显、随波数q⊥增大分别趋近于54.32 meV和86.56 meV两个定值;当波数q⊥值非常小时,出现界面声子的色散消失现象,消失部分将穿越界面声子的能量区域转化为准受限声子或半空间声子.
关键词:
界面声子
,
色散关系
,
量子阱
