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张国兴 , 康强 , 李阁平 , 石南林 , 李东
金属学报 doi:10.3321/j.issn:0412-1961.2002.z1.149
对SiC/TA1复合材料进行了800℃不同时间的真空热暴露,测量了SiC纤维与钛基体之间的界面反应区大小,并研究了界面反应区大小和热暴露时间的关系.确定了界面反应区长大遵循抛物线规律x=kt1/2,表明其长大是受扩散控制的.
关键词: SiC/TA1复合材料 , 界面反应区 , 扩散控制
