侯识华
,
宋世庚
,
马远新
,
郑毓峰
材料科学与工程学报
doi:10.3969/j.issn.1673-2812.2001.03.008
采用Sol-Gel法,在Pt/TiO2/Si基片上制备了具有不同铅过量(0-20mol%)的PLZT铁电薄膜.分析了薄膜的晶相结构,研究了铅过量对PLZT铁电薄膜的介电性能和铁电性能的影响. 结果表明,各薄膜均具有钙钛矿型结构,且各薄膜均呈(110)择优取向.PLZT铁电薄膜的介电性能和铁电性能随铅过量的变化而改变.铅过量为10mol%的薄膜具有最佳的的介电性能和铁电性能.
关键词:
Sol-Gel法
,
PLZT
,
铁电薄膜
,
铅过量
,
电 学性质
