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HfO2基阻变存储器的电极效应

谭婷婷 , 郭婷婷 , 李小晶 , 陈曦 , 冯丽萍 , 刘正堂

稀有金属材料与工程

研究了Cu/HfO2/ITO和TiN/HfO2/ITO 2种结构阻变存储器件的电阻转变特性.2种结构均表现出稳定的、可重复的双极电阻转变行为.Cu/HfO2/ITO器件的电阻转变机制是Cu导电细丝的形成,而对于TiN/HfO2/ITO器件,在TiN项电极和HfO2薄膜中会形成界面层,因此氧空位导电细丝的形成与断裂,是其主要的电阻转变机制.

关键词: HfO2薄膜 , 电阻转变机制 , 金属细丝 , 氧空位