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非晶La2O3薄膜的阻变存储性能研究

赵鸿滨 , 屠海令 , 杜军 , 张心强

稀有金属 doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2012.04.012

采用脉冲激光技术在Pt/Ti/SiO2/Si衬底上沉积了非晶La2O3薄膜,制作并分析了Pt/La2 O3/Pt堆栈层的直流电压与脉冲电压诱导的电阻转变特性.Pt/La2O3/Pt器件单元表现出了稳定的双极性电阻转变,其高低阻态比大于两个数量级.经过大于1.8×106s的读电压,高低阻态的电阻值没有明显的变化,表现出了良好的数据保持能力.通过研究高低阻态的电流电压关系、电阻值与器件面积的关系,揭示了导电细丝的形成和破灭机制是导致Pt/La2O3/Pt器件发生电阻转变现象的主要原因.

关键词: 氧化镧 , 电阻转变 , 非易失性 , 脉冲激光沉积

扩展幂律型脱钉和高温超导体及MgB2的电阻转变

胡翔 , 余增强 , 宁振华 , 尹澜 , 徐晓林 , 郭建栋 , 王福仁 , 尹道乐

低温物理学报 doi:10.3969/j.issn.1000-3258.2005.z1.071

近来,关于无序涡旋物质凝聚体的著名的涡旋玻璃理论受到了来自某些新实验的严重质疑.我们重新审查了高温超导体的临界标度,发现超导混合态的直流伏安特性具有扩展幂律的一般形式.由该扩展幂律型非线性方程模拟的等温线和Strachan等人得到的实验数据[Phys. Rev. Lett. 87(2001), 067007]符合得很好.文中还讨论了长期以来围绕纵向电阻率和霍尔电阻率的临界指数的某些争议.

关键词: 扩展幂律 , 涡旋玻璃 , 电阻转变 , Hall电阻率

关于YBCO/MgO超导薄膜电阻转变和微波性质的研究

史力斌 , 李明标

低温物理学报 doi:10.3969/j.issn.1000-3258.2008.04.017

利用标准的四引线方法研究了磁场平行和垂直于YBCO/MgO超导薄膜表面时的电阻转变.另外,本文采用微带谐振技术研究了该超导薄膜的微波性质.我们获得了该超导薄膜在绝对零度时的穿透深度λ0=280 nm,并且计算出了该超导薄膜的表面电阻,结果显示在60 K,7.78 GHz时Rs=78.2μΩ;在76 K,7.77 GHz时Rs=179.8 μΩ.

关键词: 超导体 , 电阻转变 , 穿透深度 , 表面电阻

非易失性阻变存储器研究进展

赵鸿滨 , 屠海令 , 杜军

稀有金属 doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2012.03.029

随着器件特征尺寸不断缩小,集成度不断提高,传统的基于电荷存储的非易失性FLASH存储器将面临物理与技术的极限.新型的阻变存储器具有高速读写、存储密度高、能耗低等优点引起了微电子产业界广泛关注.介绍了阻变存储器的阻变行为,综述了目前研究的存储机制、性能及其改善方法、材料体系、器件结构,并展望了阻变存储器的应用前景.

关键词: 非易失性存储器 , 电阻转变 , 阻变机制

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