欢迎登录材料期刊网
马兰 , 杨绍利 , 高仕忠
材料导报
理论上计算了VO2薄膜点阵常数的变化及杂质对VO2薄膜晶体中键长的影响,研究了K、Na、Fe、Si等多种杂质离子时VO2晶体点阵常数和键长的影响.结果表明,杂质使VO2薄膜晶体中的键长伸长,点阵常数增大,晶体结构稳定性降低,电阻突变温度降低,电阻突变数量级减小.
关键词: VO2 , 薄膜 , 电阻突变性能 , 杂质 , 点阵常数
