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MoO3含量对VO2薄膜电阻率变化的影响

马兰 , 杨绍利 , 高仕忠

功能材料

研究了掺入MoO3时VO2薄膜电阻率的变化;建立了VO2薄膜电阻率突变数量级S随杂质含量变化的数学模型,进行了理论计算及与实测值的对比.结果表明,S随MoO3掺入量的增大而减小,采用该数学模型可以很好地预测S值的大小.

关键词: VO2 , 薄膜 , 电阻率变化 , 杂质