季振国
,
陈伟峰
,
毛启楠
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2011.02.014
在众多新型非挥发存储器中,电阻式存储器具有结构简单,存储密度高,读写速度快,数据保持时间长,制作方法与传统CMOS工艺兼容性好等优点成为研究的热点.本文简要回顾了电阻式存储器器件的结构、机制、材料以及制备方法,并讨论了电阻式存储器的单极性和双极性电阻开关特性,最后着重介绍了电阻开关特性的块体主导机制和界面主导机制.
关键词:
电阻式存储器
,
非挥发性
,
随机存储器
,
电阻开关
刘新军
,
李效民
,
王群
,
杨蕊
,
曹逊
,
陈立东
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2010.00151
以Pt/Ti/SiO_2/Si为衬底,制备了具有电阻转变特性的Ti/La_(0.7)Ca_(0.3) MnO<3>(LCMO)/Pt结构器件.X射线衍射分析表明LCMO薄膜呈纳米晶或非晶态,扫描电子显微镜及原子力显微镜分析表明LCMO薄膜表面平整、光滑致密.电学测试结果表明Ti/LCMO/Pt结构具有明显的双极型"负"电阻转变特性,低电阻态的导电过程为空间电荷限制电流机制,高电阻态的导电过程为Poole-Frenkel发射机制.利用氧化还原反应的随机性和TiO_x中间层空间分布的不均匀性,定性地解释了高电阻态的不稳定性以及电流一电压曲线上的电流突变现象.
关键词:
脉冲激光沉积法
,
电阻开关
,
电脉冲诱发电阻转变
,
锰氧化物薄膜
李红霞
,
季振国
,
席俊华
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2012.11776
采用直流磁控溅射法在n+-Si上制备了TiO2薄膜,采用电子束蒸发镀膜仪在TiO2薄膜上沉积Au电极,获得了Au/TiO2/n+-Si结构的器件.研究了退火温度对薄膜结晶性能及器件电阻开关特性的影响.Au/TiO2/n+-Si结构的器件具有单极性电阻开关特性,置位(set)电压,复位(reset)电压、reset电流及功率的大小随退火温度的不同而不同,并基于灯丝理论对器件的电阻开关效应的工作机理进行了探讨.研究结果表明,500℃退火的器件具有良好的非易失性.器件高低阻态的阻值比大于103,其信息保持特性可达10年之久.在读写次数为100次时,器件仍具有电阻开关效应.
关键词:
TiO2薄膜
,
电阻开关
,
退火温度
张涛
,
徐智谋
,
武兴会
,
刘斌昺
无机材料学报
doi:10.15541/jim20140037
室温下采用紫外固化的方法取代溶胶-凝胶方法中的高温退火制备了氧化锌薄膜,XRD分析结果表明薄膜为非晶的,XPS分析结果表明薄膜的主要成分是ZnO.在深紫外固化后的薄膜表面溅射Al作为顶电极获得Al/a-ZnO/FTO结构的器件,研究深紫外照射时间对器件电阻转变性能的影响,进一步解释了深紫外固化的机制.研究表明:经过充足时间(12 h)照射的器件表现出双极性电阻开关特性,阈值电压分布集中(-3.7 V＜Vet＜-2.9 V,3.4 V＜Vreset＜4.3 V)且符合低电压工作的要求,至少在4000 s内器件的高低阻态都没有发生明显的退化,表现出了良好的存储器特性.Al/a-ZnO/FTO器件的这种电阻转变特性可以用空间电荷限制电流传导机制解释.
关键词:
深紫外固化
,
电阻开关
,
非晶态氧化锌薄膜
